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   将选定结果: 

 Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

高美 李浩林 王登魁 王新伟 方铉 房丹 唐吉龙 王晓华 魏志鹏

[摘要]采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功率增加,Ga...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(02):0211005

 碲镉汞雪崩焦平面器件

李浩 林春 周松敏 郭慧君 王溪 陈洪雷 魏彦锋 陈路 丁瑞军 何力

[摘要]碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第 3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长 3. 56 μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为 16×16.焦平面器件在 0~6 V偏压下有效...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(05):587

 利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管

李浩 林春 周松敏 王溪 孙权志

[摘要]碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法, 并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4.8 μm的...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(02):223

 ZnO纳米线表面改性及其光学性质

胡颖 李浩林 王登魁 贾慧民 魏志鹏 王晓华 方铉 房丹 王新伟

[摘要]利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(10):1003002

 HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法

翁彬 周松敏 王溪 陈奕宇 李浩 林春

[摘要]报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试, 发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(01):54

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