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 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗 毅 乔 辉

[摘要]研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(01):61

 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

王仍 焦翠灵 张莉萍 陆液 张可锋 杜云辰 李向阳

[摘要]通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中...

 PDF全文红外 | 2016, 37(10):1

 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

王仍 焦翠灵 张莉萍 陆液 张可锋 杜云辰 李向阳

[摘要]通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中...

 PDF全文红外 | 2016, 27(10):1

 Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究

焦翠灵 王仍 张莉萍 林杏潮 邵秀华 杜云辰 陆液

[摘要]利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果...

 PDF全文光子学报 | 2015, 44(08):0831002

 Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能

王仍 焦翠灵 徐国庆 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳

[摘要]采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料, 利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量, 分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化, 利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(04):432

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