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   将选定结果: 

 GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究

张健 唐吉龙 亢玉彬 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏

[摘要]利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(10):1031002

 CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

刘展 林逢源 高美 方铉 房丹 王登魁 唐吉龙 王晓华 魏志鹏

[摘要]为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(08):0811002

 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响

郭德双 陈子男 王登魁 唐吉龙 方铉 房丹 林逢源 王新伟 魏志鹏

[摘要]研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 ℃退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶体质量得到提升; 600 ℃退火后...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(04):0403002

 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

亢玉彬 唐吉龙 张健 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏

[摘要]通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(02):0203002

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