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 AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径

田康凯 楚春双 毕文刚 张勇辉 张紫辉

[摘要]目前,发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏振光,这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2019, 56(06):060001

 热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器

孟瑞林 姬小利 张勇辉 张紫辉 毕文刚 王军喜 魏同波

[摘要]利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜, 分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别, 并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3...

 PDF全文半导体光电 | 2019, 40(05):637

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