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 InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究

陈燕文 文静 文玉梅 李平 王三山

[摘要]针对InGaN/GaN多量子阱LED, 分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制, 从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系, 以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实, 在低注入强度下...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):42

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