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   将选定结果: 

 脉冲电场测试中的激光供电技术

严雪飞 朱长青 石科仁 王 佳

[摘要]为解决脉冲电场测试系统中的供电问题, 设计了一套激光光纤供电系统, 该系统由激光器、多模光纤及光电池构成。重点研究了激光器与光纤的耦合问题, 设计了透镜系统对激光器输出光束进行准直和压缩。通过MOCVD法研制了G...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(02):264

 退火温度对旋涂法制备SnO2薄膜性能的影响

张 旭 刘贤哲 袁炜健 邓宇熹 张啸尘 王 爽 王佳良 宁洪龙 姚日晖 彭俊彪

[摘要]采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜, 通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针、开尔文探针系统对薄膜的表面形貌、结构及光学特性、电学...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(02):164

 硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制

汤英文 熊传兵 王佳斌

[摘要]将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火, 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现: 垂直结构LE...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(08):979

 高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究

宿世臣 裴磊磊 张红艳 王佳 赵灵智

[摘要]利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices (APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN 和 InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN/GaN 基LED 中GaN作为垒层材料相比,在A...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):208

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