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 集成Ag基反射镜的GaN基LED薄膜芯片的静电失效演变

刘时彪 王光绪 吴小明 莫春兰 张建立

[摘要]对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内部会随机出现ESD黑点。随着ESD...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(10):1023001

 Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理

徐 帅 王光绪 吴小明 郭 醒 刘军林 江风益

[摘要]采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究。结果表明,...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):865

 量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

邱岳 丁杰 张建立 莫春兰 王小兰 徐龙权 吴小明 王光绪 刘军林 江风益

[摘要]采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料, 研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征, 使用电致发光...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):961

 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益

[摘要]用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915 ℃范围内,发光效率随着垒温...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):202

 AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益

[摘要]利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0231003

 p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响

陶喜霞 王立 刘彦松 王光绪 江风益

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs), 研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响, 并采用F...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(10):1069-1073

 Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化

熊贻婧 张萌 熊传兵 肖宗湖 王光绪 汪延明 江风益

[摘要]采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaN MQW LED薄膜转移至不同结构的金属基板, 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(04):531-537

 不同基板1 W硅衬底蓝光LED老化性能研究

汪延明 熊传兵 王光绪 肖宗湖 熊贻婧 江风益

[摘要]将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(06):1749-1754

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