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 两步生长法生长的InxGa1-xAs/GaAs材料及性质

韩智明 缪国庆 曾玉刚 张志伟

[摘要]利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在GaAs(100)单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料.通过扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影响;利用X射线衍射(XRD)分析了缓冲层厚...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(03):288

 新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计

赵旭 缪国庆 张志伟 曾玉刚

[摘要]设计并模拟计算了延伸波长至2.6 μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器, 即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明: 在I...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(01):75

 2 kW半导体激光加工光源

张志军 刘云 缪国庆 王立军

[摘要]针对激光加工在金属材料焊接、熔覆、表面硬化等工业领域的应用, 考虑到半导体激光器体积和重量小、效率高、免维护、成本低以及波长较短等特点, 设计了功率达2 kW的半导体激光加工光源。在大通道工业水冷条件下, 采用...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):334-339

 SiO2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比, 沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级, 峰值光谱响应度提高了近...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(08):879-882

 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]采用热扩散方法, 对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250 ℃的温度下, 氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源, 可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(07):768-773

 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明: 与...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):581-585

 AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋 航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长aAlGaN外延膜,研究了AlN插入层对aAlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):519-524

 MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线

张登巍 缪国庆

[摘要]采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利用X射线衍射和透射电子...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(03):294-298

 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 孙晓娟 陈一仁 贾辉

[摘要]通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(02):227-232

 GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜, 研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明, 低工作压强、短靶距...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1089-1094

 GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性

尤坤 宋航 黎大兵 刘洪波 李志明 陈一仁 蒋红 孙晓娟 缪国庆

[摘要]制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应。通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制;在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):55-61

 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM) 分析了样品的结晶质量以及外...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):82-87

 利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层

张铁民 缪国庆 傅军 符运良 林红

[摘要]采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP (100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(06):612-616

 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

竹敏 宋航 蒋红 缪国庆 黎大兵 李志明 孙晓娟 陈一仁

[摘要]通过对多层GaSb量子点的生长研究, 发现随着生长层数的增加, 量子点尺寸逐渐变大, 密度没有明显变化, 并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时, 聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(06):859-863

 Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

于淑珍 缪国庆 金亿鑫 张立功 宋航 蒋红 黎大兵 李志明 孙晓娟

[摘要]采用金属有机化学气相沉积技术, 利用自催化法, 在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面, 在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似, 纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(05):767-772

 缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜结构及电学性能的影响

张铁民 缪国庆 宋航 蒋红 李志明 傅军 颜丽娜

[摘要]采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(06):787-791

 晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响

阎大伟 宋航 缪国庆 于淑珍 蒋红 李志明 刘霞 曹连振 郭万国 孙晓娟

[摘要]采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(03):309-313

 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

曹连振 蒋红 宋航 李志明 赵海峰 吕文辉 刘霞 郭万国 阎大伟 孙晓娟 缪国庆

[摘要]采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(01):43-47

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