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   将选定结果: 

 MgAl2O4绝缘性的第一性原理研究

李俊锋 罗怡韵 何海英 李庆青 偰正才

[摘要]基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl2O4体系。缺陷形成能的结果表明,Oi4和VO分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl2O4的导电性...

 PDF全文光电子技术 | 2017, 37(04):240

 电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜

何海英 偰正才 罗怡韵 夏远凤 牛憨笨

[摘要]采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可...

 PDF全文光电子技术 | 2015, 35(01):70

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