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 斜入射时一定温度范围内微结构高度误差对衍射效率的影响

杨亮亮 刘成林 赵勇兵 郭仁甲

[摘要]工作环境温度的改变会降低衍射光学元件的衍射效率,影响混合光学系统的成像质量。基于斜入射时衍射效率的表达式,在双层衍射光学元件的设计中考虑温度变化,提出了工作在一定温度范围内和入射角度范围内的双层衍射光学元...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(04):0405001

 含有双层衍射光学元件的中波/长波消热差光学系统的设计

杨亮亮 赵勇兵 陈 凤 袁得银

[摘要]建立了工作在一定入射角度范围内的多层衍射光学元件的复合带宽积分平均衍射效率的分析模型。基于衍射光学元件所具有的独特的消色差和消热差性质, 设计了一个含有双层衍射光学元件的工作在(3.7~4.8) μm和(7.7~9.5)...

 PDF全文应用光学 | 2019, 40(05):756

 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

赵勇兵 张韵 程哲 黄宇亮 张连 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽

[摘要]介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2 μm, 栅宽(Wg)为0.9 ...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(06):720

 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

赵勇兵 张 韵 程 哲 黄宇亮 张 连 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽

[摘要]采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3 为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,S...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(05):578

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