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   将选定结果: 

 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗 毅 乔 辉

[摘要]研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(01):61

 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

乔辉 陈心恬 赵水平 兰添翼 王妮丽 朱龙源 李向阳

[摘要]针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(12):1204001

 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性

乔辉 刘诗嘉 刘向阳 朱龙源 兰添翼 赵水平 王妮丽 李向阳

[摘要]利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象, 等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(01):59

 长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

王妮丽 刘诗嘉 兰添翼 赵水平 李向阳

[摘要]通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜, 结合HgCdTe器件工艺, 成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析, 获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):132-135

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