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 界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

韩 军 赵佳豪 赵 杰 邢艳辉 曹 旭 付 凯 宋 亮 邓旭光 张宝顺

[摘要]研究不同界面处理对AlGaN/GaN 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理, 实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌, 通过对N2等离子...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):915

 MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺

[摘要]采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜, 对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1285

 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

钟林健 邢艳辉 韩军 王凯 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(04):0406002

 AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备, 在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT), 研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(07):830-834

 AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(06):0606005

 预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

廉瑞凯 李林 范亚明 王勇 邓旭光 张辉 冯雷 朱建军 张宝顺

[摘要]主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(01):0106001

 H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明: 相同生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(06):776-781

 高阻GaN的MOCVD外延生长

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔

[摘要]利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明, 延长GaN成核层的生长时间, 降低成核层生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):351-355

 退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响

汪加兴 韩军 邢艳辉 邓旭光 王逸群 邢政 姜春宇 方运

[摘要]用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1100℃退火处...

 PDF全文半导体光电 | 2013, 34(03):445-447

 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨

[摘要]采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1084-1088

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