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 正照射延伸波长In0.8Ga0.2As红外焦平面探测器

邓洪海 杨 波 邵海宝 王志亮 黄 静 李 雪 龚海梅

[摘要]为了研究延伸波长In0.8Ga0.2As PIN 短波红外探测器的温度响应光电特性, 采用闭管扩散的平面型器件工艺, 在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长的NIN型InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As/ InAs0.6P0.4 buf./InP材料上制备了正...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0504004

 InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化

邓洪海 杨波 夏辉 邵海宝 王强 王志亮 朱友华 黄静 李雪 邵秀梅 龚海梅

[摘要]采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟, 并利用制备的Au/P-In0.52...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0304001

 形貌可控Eu3+掺杂氧化钼锌水合物的发光性能

马青兰 马树清 邵海宝 邓洪海 王志亮 黄静 尹海宏 张振娟

[摘要]通过共沉淀法,在室温下合成了Eu3+掺杂氧化钼锌水合物的前驱体。研究了烧结温度对该前驱体的微结构和光致发光性能的影响。研究结果表明,在约400 ℃温度下,通过低成本地烧结Eu3+掺杂水合物前驱体,可得到Eu3+掺杂的...

 PDF全文光学学报 | 2018, 38(06):0616001

 可见增强的32×32元平面型InGaAs/In面阵探测器

杨 波 邵秀梅 唐恒敬 邓洪海 李 雪 魏 鹏 王云姬 李 淘 龚海梅

[摘要]为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强, 在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层, 制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器, 采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法, 去除了InP衬底.结果表明, 探测器的响...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(03):286

 平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

邵秀梅 李淘 李雪 邓洪海 程吉凤 徐勤飞 肖功海 汪洋 陆华杰

[摘要]采用晶格匹配的平面型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计改...

 PDF全文光学与光电技术 | 2014, 12(01):75-79

 背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

魏鹏 黄松垒 李雪 邓洪海 朱耀明 张永刚 龚海梅

[摘要]在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30 μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(03):214-219

 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

朱耀明 李永富 李雪 唐恒敬 邵秀梅 陈郁 邓洪海 魏鹏 张永刚 龚海梅

[摘要]在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(01):11-15

 平面型 24元 InGaAs短波红外探测器

邵秀梅 李淘 邓洪海 程吉凤 陈郁 唐恒敬 李雪

[摘要]设计了带有保护环结构的平面型 24×1 InGaAs线列短波红外探测器,利用 n-i-n+型 InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料闭管扩散制备了平面型探测器。LBIC测试显示光敏元没有明显扩大,保护环起到了有效的隔离效果;I-...

 PDF全文红外技术 | 2011, 33(09):501-504

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