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 界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

韩 军 赵佳豪 赵 杰 邢艳辉 曹 旭 付 凯 宋 亮 邓旭光 张宝顺

[摘要]研究不同界面处理对AlGaN/GaN 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理, 实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌, 通过对N2等离子...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):915

 MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺

[摘要]采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜, 对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1285

 重掺杂n型GaN材料特性研究

张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁

[摘要]采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料, 研究发现在SiH4流量为20cm3/min时样品获得较高的电子浓度, 达到6.4×1019cm-3, 同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):499

 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(02):229

 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

钟林健 邢艳辉 韩军 王凯 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(04):0406002

 980nm垂直腔面发射激光器的外延生长

崔明 韩军 邓军 李建军 邢艳辉 陈翔 朱启发

[摘要]模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱, 采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器, 制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件, 其阈值电流为3.3mA, 阈值电压为...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):38

 AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备, 在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT), 研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(07):830-834

 AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品, 研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明: 厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散, 而...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):727-731

 AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(06):0606005

 H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明: 相同生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(06):776-781

 高阻GaN的MOCVD外延生长

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔

[摘要]利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明, 延长GaN成核层的生长时间, 降低成核层生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):351-355

 退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响

汪加兴 韩军 邢艳辉 邓旭光 王逸群 邢政 姜春宇 方运

[摘要]用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1100℃退火处...

 PDF全文半导体光电 | 2013, 34(03):445-447

 Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(12):1646-1650

 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

冯雷 韩军 邢艳辉 范亚明

[摘要]研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄...

 PDF全文半导体光电 | 2012, 33(03):367-369

 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨

[摘要]采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1084-1088

 C掺杂GaAs外延层光学特性分析

邢艳辉 李建军 邓军 韩军 盖红星 沈光地

[摘要]对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。

 PDF全文量子电子学报 | 2006, 23(02):0222-224

 AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 李建军 韩军 邢艳辉 邓军 俞波 沈光地 陈建新

[摘要]采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同...

 PDF全文量子电子学报 | 2005, 22(01):85-89

 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 盖红星 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地

[摘要]使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率...

 PDF全文量子电子学报 | 2005, 22(01):81-84

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