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 2 μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计

谢检来 郝永芹 王志伟 王 霞 晏长岭 刘国军 马晓辉 李 杨 岳光礼 张 昕

[摘要]研究了一种2 μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2 μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.89...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(07):070501

 850 nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

冯 源 郝永芹 王宪涛 刘国军 晏长岭 张家斌 李再金 李 洋

[摘要]根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight 计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(03):0301005

 面发射分布反馈半导体激光器

田 锟 邹永刚 马晓辉 郝永芹 关宝璐 侯林宝

[摘要]本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能, 针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述, 并在此基础上, 对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进...

 PDF全文中国光学 | 2016, 9(01):51

 单模垂直腔面发射激光器的研究动态

郝永芹 晏长岭 马晓辉 刘国军 冯源 李特 魏志鹏 姜会林

[摘要]垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(10):100003

 808nm网状电极高功率垂直腔面发射激光器

冯大伟 袁中朝 冯源 郝永芹

[摘要]为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(06):781-784

 网状电极大出光孔径VCSEL及其光电性能的研究

冯源 侯立峰 郝永芹 晏长岭 赵英杰 王玉霞 钟景昌

[摘要]加大出光孔径通常是提高VCSEL输出光功率的一条重要途径。但在大出光孔径的VCSEL中,电流注入不均又常常引起发射光强不均或不发光的现象,为解决此问题,提高VCSEL的输出功率,同时改善其热特性,研制了新型的网状电极...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(08):773

 径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器

侯立峰 钟钢 赵英杰 王玉霞 郝永芹 冯源 姜晓光 谢浩瑞

[摘要]为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件.对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻...

 PDF全文光子学报 | 2010, 39(01):1-5

 高功率径向桥电极垂直腔面发射激光器的研制

侯立峰 钟钢 赵英杰 杨永庄 王玉霞 郝永芹 冯源 姜晓光 谢浩瑞

[摘要]本文报道了一种新型高功率径向桥电极垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的研制。理论分析表明,采用径向桥式电极减小了高功率VCSEL器件的P型DBR电阻,降低热阻,改善了器件光束质量。实验制备了出光孔径为200um的高...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2009, 7(08):709

 垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究

侯立峰 冯源 钟景昌 杨永庄中国人民解放军装甲兵技术学院 长春 130117 赵英杰 郝永芹

[摘要]为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制, 提高其光电特性, 对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下, 对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化.采用X射线能谱分析仪, 对氧化后...

 PDF全文光子学报 | 2009, 38(11):2733-2737

 新型结构垂直腔面发射激光器的研制

赵英杰 郝永芹 李广军 冯源 侯立峰

[摘要]为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性, 提高其光电性能, 研制了新型辐射桥结构的VCSEL, 即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(08):1946-1950

 垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律

侯立峰 钟景昌 赵英杰 郝永芹 冯源 谢浩锐 姜晓光

[摘要]为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(04):790-793

 垂直腔面发射激光器中选择性氧化工艺稳定性研究

马建立 郝永芹 钟景昌 赵英杰 李海军 乔忠良 冯源

[摘要]选择性氧化工艺已经成为制备高性能垂直腔面发射激光器(VCSEL)的关键技术,氧化后形成的氧化层提供了良好的电限制和折射率导引,但选择性氧化速率是呈线性规律还是抛物线规律仍存在很大的争议。在多种温度条件下,做了环...

 PDF全文中国激光 | 2007, 34(08):1055-1058

 808 nm InGaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究

张永明 钟景昌 路国光 秦莉 赵英杰 郝永芹 姜晓光

[摘要]从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究.实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A...

 PDF全文光子学报 | 2006, 35(01):0009-12

 垂直腔面发射激光器制作新工艺

郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰

[摘要]采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器...

 PDF全文中国激光 | 2006, 33(04):443-446

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