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 退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响

赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 杨敏 陆熠磊 刘欣星 常发冉

[摘要]利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜, 并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明, 当退火温度为400 ℃时, CZTS薄膜中含有...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(09):091601

 高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

单 睿 周海春 郝瑞亭 欧全宏 郭 杰

[摘要]采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上外延生长高In组分(>40%)InGaNAs/GaAs量子阱材料, 工作波长覆盖1.3~1.55 μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和InGaNAs/GaAs量子阱的生长特性...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(11):1510

 GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

郝瑞亭 任洋 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川

[摘要]系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低, Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层, 生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时, 生长得到低缺陷表面的低...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):135

 InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化

郭杰 郝瑞亭 段剑金 许林 李银柱

[摘要]采用分子束外延技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后,二极管漏电流密度降低了三个数量级,零偏阻抗R0达到106 Ω,R0A达到...

 PDF全文光子学报 | 2014, 43(01):0104002

 GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究

郭 杰 彭震宇 鲁正雄 孙维国 郝瑞亭 周志强 许应强 牛智川

[摘要]采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML) 和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2 和57.3 .室温红外透射光 谱表明两种超晶格结...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2009, 28(03):165-167

 紫外探测器及其研究进展

郝瑞亭 刘焕林

[摘要]最近,人们越来越关注紫外光的辐射与测量.本文主要介绍了紫外探测器的原理和研究现状.

 PDF全文光电子技术 | 2004, 24(02):129-133

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