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 晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响

阎大伟 宋航 缪国庆 于淑珍 蒋红 李志明 刘霞 曹连振 郭万国 孙晓娟

[摘要]采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(03):309-313

 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

曹连振 蒋红 宋航 李志明 赵海峰 吕文辉 刘霞 郭万国 阎大伟 孙晓娟 缪国庆

[摘要]采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(01):43-47

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