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   将选定结果: 

 氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

白金超 王静 赵磊 张益存 郭会斌 曲泓铭 宋勇志 张亮

[摘要]本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究, 为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF6+O2气体体系, 通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响, 并对结果进行机理分析和讨论。实验...

 PDF全文液晶与显示 | 2017, 32(07):533

 大尺寸薄膜晶体管液晶显示器的一种条状显示不均的分析和改善研究

刘晓伟 田 明 李梁梁 付艳强 郭会斌 刘 耀 袁剑峰

[摘要]研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析, 这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性...

 PDF全文液晶与显示 | 2016, 31(11):1033

 TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

王守坤 袁剑峰 郭会斌 郭总杰 李升玄 邵喜斌

[摘要]本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(06):730

 TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

王守坤 袁剑峰 郭总杰 郭会斌 刘 杰 郑云友 贠向南 李升玄 邵喜斌

[摘要]对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT电学...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(05):801

 磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 郭会斌 李梁梁 郭总杰 郝昭慧

[摘要]纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极, 但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘, 对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极, 并通过电学检测、扫描电子显微镜...

 PDF全文液晶与显示 | 2014, 29(04):548-552

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