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   将选定结果: 

 Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

于淑珍 缪国庆 金亿鑫 张立功 宋航 蒋红 黎大兵 李志明 孙晓娟

[摘要]采用金属有机化学气相沉积技术, 利用自催化法, 在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面, 在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似, 纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(05):767-772

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