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 短周期Ⅱ型InAs/GaSb超晶格中红外探测

袁方园 金芹

[摘要]文章研究了短周期InAs/GaSb (SLs)Ⅱ型超晶格的红外光电特性。研究发现将InAs/GaSb 超晶格各层生长宽度调节在20/25 左右,可以实现中红外波段的禁带宽度。我们发展了修正的八能带K.P模型计算了该超晶格系统的电子...

 PDF全文量子光学学报 | 2017, 23(04):387

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