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 观瞄仪目标发生器准直投影系统的设计

韩 军 师永栋 陈文建 杨建莉 胡 斐

[摘要]针对空间标准动态目标发生器的设计指标要求, 对卡塞格林R-C系统进行了改进, 通过在第2镜和像面之间加入一片双曲面镜, 设计完成了焦距为1 600 mm、相对孔径为1∶1.2、视场角为1°、工作波段在0.4 μm~0.7 μm和8 ...

 PDF全文应用光学 | 2016, 37(05):663

 980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化

李岩 李建军 邓军 韩军

[摘要]为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征, 设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构, 并在不同条件下进行了MOCVD外延生长, 通过室温荧光谱测试分析, 得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):518

 重掺杂n型GaN材料特性研究

张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁

[摘要]采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料, 研究发现在SiH4流量为20cm3/min时样品获得较高的电子浓度, 达到6.4×1019cm-3, 同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):499

 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(02):229

 Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究

韩 军 范琳琳 刘 欢

[摘要]微通道板(Microchannel Plate,MCP)是像增强器中实现电子倍增的关键器件。以硅为基体制备的微通道板相对于传统的微通道板在性能方面有很大的提高。在对硅进行反应离子深刻蚀(DRIE)前,需要对充当掩蔽层的金属铝膜进行...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(10):3055

 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

钟林健 邢艳辉 韩军 王凯 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(04):0406002

 980nm垂直腔面发射激光器的外延生长

崔明 韩军 邓军 李建军 邢艳辉 陈翔 朱启发

[摘要]模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱, 采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器, 制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件, 其阈值电流为3.3mA, 阈值电压为...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):38

 白光干涉技术在球轴承测量中的应用

石炜 李俊成 韩军 王建国 王靖禹

[摘要]为了实现球轴承中球体在制造加工中快速准确的测量, 采用白光干涉技术、图像处理技术和信号处理技术组建了一整套的基于迈克尔逊干涉仪的测量系统。对白光干涉技术进行了理论分析, 对轴承球体进行了光学球面半径的高精...

 PDF全文激光技术 | 2014, 38(05):623-626

 InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

吴波 邓军 杨利鹏 田迎 韩军 李建军 史衍丽

[摘要]利用 MOCVD在 InP衬底上制备 InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结 PIN型材料, 通过对本征层 In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究, 发现 PIN结构中两侧 InP材料的掺杂特性对中间 In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的...

 PDF全文红外技术 | 2014, 36(05):415-418

 基于FPGA的面阵CCD驱动时序设计

韩军 杨少华 尚小燕

[摘要]针对柯达公司的前照明行间转移型面阵CCD KAI-0340,对它的驱动时序进行详细的分析,设计满足CCD工作脉冲的驱动时序。采用Altera公司的可编程逻辑器件(FPGA)作为核心控制器件,完成自顶而下的模块设计,实现了硬件电路设计...

 PDF全文光学仪器 | 2014, 36(01):67-71

 AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备, 在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT), 研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(07):830-834

 AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品, 研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明: 厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散, 而...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):727-731

 AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(06):0606005

 非对称超大光腔980 nm大功率半导体激光器

李建军 崔碧峰 邓军 韩军 刘涛 李佳莼 计伟 张松

[摘要]为了制备高输出功率的半导体激光器,设计了非对称超大光腔波导结构,其中大光腔结构用以提高器件的灾变性腔面烧毁(COMD)水平,非对称波导则抑制高阶模的激射,并分析了非对称波导层厚度的理论优化值。优化了有源区的...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(11):1102011

 光栅成像光谱仪图像畸变校准方法研究

韩军 马筝 吴玲玲 路绍军 于洵 占春连

[摘要]成像光谱仪是一种“图谱合一”的光学遥感仪器。光栅型成像光谱仪由于原理简单, 性能稳定, 技术发展成熟等优点得到了广泛的应用。光栅成像光谱仪中不同采样步长的选择及不合理的拼接方法会导致目标图像(分划板图像)的...

 PDF全文光学仪器 | 2013, 35(02):69-73

 近室温样品加热炉温度的模糊PID控制研究

何茜 韩军 陈文建

[摘要]根据红外隐身材料光谱发射率测试方法的要求, 提出了一种基于半导体制冷器的近室温样品加热炉系统。在对加热炉系统特性进行分析的基础上, 建立了基于模糊PID控制的系统仿真模型。经仿真及实验可知, 在加热和制冷条件下...

 PDF全文光学仪器 | 2013, 35(02):74-78

 H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明: 相同生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(06):776-781

 高阻GaN的MOCVD外延生长

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔

[摘要]利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明, 延长GaN成核层的生长时间, 降低成核层生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):351-355

 退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响

汪加兴 韩军 邢艳辉 邓旭光 王逸群 邢政 姜春宇 方运

[摘要]用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1100℃退火处...

 PDF全文半导体光电 | 2013, 34(03):445-447

 Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(12):1646-1650

 宽光谱膜厚监控系统的评价函数修正技术

尚小燕 韩军 姜旭

[摘要]基于评价函数的宽光谱膜厚监控系统,由于实测光谱曲线和理论光谱曲线相背离,使得评价函数发散,监控失败。利用实测的膜层透射率光谱曲线,对于已镀层,利用模拟退火算法实时拟合其实际的光学常数,据此修正目标透射...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2012, 49(02):023101

 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

冯雷 韩军 邢艳辉 范亚明

[摘要]研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄...

 PDF全文半导体光电 | 2012, 33(03):367-369

 一种光栅型成像光谱仪光学系统设计

韩军 李珣 吴玲玲 路绍军 于洵 占春连

[摘要]成像光谱仪是一种“图谱合一”的光学遥感仪器。从光栅型成像光谱仪的使用要求出发,利用Zemax软件设计了一种光栅型成像光谱仪光学系统。其中,前置望远物镜采用反射式结构,传统的卡塞格林结构在主次镜均采用非球面时...

 PDF全文应用光学 | 2012, 33(02):233-239

 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨

[摘要]采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1084-1088

 基于形态学带通滤波和尺度空间理论的红外弱小目标检测

程塨 郭雷 韩军伟 钱晓亮

[摘要]针对复杂背景下的红外弱小目标检测问题,提出了一种基于形态学带通滤波和尺度空间理论的红外弱小目标检测算法。采用形态学带通滤波对红外图像进行预处理,得到红外弱小目标的潜在区域;利用高斯差分算子获得预处理后...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(10):1015001

 基于空间光调制器的波面重建优化方法研究

韩军 郑婷 聂亮 安毓英

[摘要]针对不同非球面面形的实时检测需求,研究了基于空间光调制器的标准波面重建技术.基于空间光调制器波面重建的原理设计了干涉测量系统,依据空间光调制器的自身特点选取修正离轴计算全息编码方式实现对标准球波面的编码...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(09):1413-1418

 反谐振反射光波导型VCSEL侧向辐射损耗的分析

魏晓航 邓军 徐晨 苗霈 毛明明 李建军 韩军

[摘要]使用柱坐标的传输矩阵法计算并分析了在反谐振反射光波导(ARROW)型垂直腔面发射激光器(VCSEL)中,不同的第一包裹层厚度对应的基模和一阶横模的侧向辐射损耗。与传统平板近似的方法相比,该方法更为精确地计算出了损耗...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(06):769-772

 宽光谱膜厚监控系统中光谱实时测量技术研究

尚小燕 韩军 李琪 王松

[摘要]在宽光谱膜厚监控系统中,利用光栅光谱仪分光,线阵CCD接收,完成光谱的一次性快速扫描来控制膜层厚度,达到实时监控的要求。而系统光谱扫描的准确性,直接影响膜厚实时监控的有效性。为了得到准确的光谱信息,首先确...

 PDF全文应用光学 | 2011, 32(05):937-941

 利用合成谱在计算全息图中编码多个物体的方法

郭荣礼 路绍军 韩军 于洵 侯瑞宁

[摘要]提出在迂回位相傅里叶变换计算全息图中利用合成谱记录多个物体的方法。该方法利用多个物体合成的傅里叶频谱,代替传统的迂回位相型计算全息图中的单一频谱,在一幅计算全息图中完成多个物体的编码。再现时多个物体同...

 PDF全文应用光学 | 2011, 32(05):854-859

 光电成像系统超分辨成像技术方法研究

韩军 薛小乐 王星

[摘要]提出一种提高现有光电观瞄系统成像空间分辨率的新方法。在不改变阵列探测器件像元尺寸和不移动探测器的前提下, 利用双光楔的较大移动使像平面发生微小位移,实现对探测器各相邻像元和不感光间隔目标进行微位移采样, ...

 PDF全文应用光学 | 2011, 32(01):54-58

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