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 电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响

胡耀文 高江东 全知觉 张建立 潘 拴 刘军林 江风益

[摘要]为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制, 首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺, 在外延过程中通过控制三甲基铝(T...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(09):1102

 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益

[摘要]用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915 ℃范围内,发光效率随着垒温...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):202

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