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 ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节

蔡昕旸 王新伟 李如雪 王登魁 方铉 房丹 张玉苹 孙秀平 王晓华 魏志鹏

[摘要]采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16 nm逐渐增大到271 nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051602

 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响

智民 方铉 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏

[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603

 980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺

乔闯 苏瑞巩 房丹 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题, 利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段, 对980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究, 确定湿法腐蚀液...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(09):0914003

 基于时域有限差分法的Au纳米天线增强消光特性研究

谭伟 杨存 唐吉龙 王登魁 方铉 王新伟 房丹 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用时域有限差分法研究了Au纳米天线对GaSb纳米线的消光增强.通过分析不同形状Au纳米阵列的电场特性和光学特性, 发现三角形为最优结构, 并具有高强度共振吸收峰和高的电场增强倍数.分别对三角形尺寸和纳米线的间距进...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(05):0516006

 表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响

夏宁 方铉 容天宇 王登魁 房丹 唐吉龙 王新伟 王晓华 李永峰 姚斌 魏志鹏

[摘要]采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(06):0603002

 基于组分调节减小AZO表面等离子体损耗的研究

陈子男 王登魁 魏志鹏 方铉 房丹 王新伟 王晓华

[摘要]在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜, 并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试, 研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(05):0503001

 ZnO纳米线表面改性及其光学性质

胡颖 李浩林 王登魁 贾慧民 魏志鹏 王晓华 方铉 房丹 王新伟

[摘要]利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(10):1003002

 GaSb基PECVD法制备SiO2薄膜的应力研究

王志伟 郝永芹 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉

[摘要]为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜, 研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件, 如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):935

 PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

陈芳 方铉 王双鹏 牛守柱 方芳 房丹 唐吉龙 王晓华 刘国军 魏志鹏

[摘要]研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(04):0421001

 2 μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计

安 宁 刘国军 李占国 李 辉 席文星 魏志鹏 马晓辉

[摘要]利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的InGaAsSb/AlGaAsSb 2 μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明:量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(07):1969

 ZnO/ZnFe2O4复合纳米粒子的制备及其特性研究

高 娴 贾慧民 方 铉 刘 鹤 唐吉龙 房 丹 王双鹏 赵海峰 李金华 方 芳 楚学影 王 菲 王晓华 徐 莉 马晓辉 魏志鹏

[摘要]利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(07):2110

 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉

[摘要]为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率, 设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构, 并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明, 在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构, 提...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(02):205

 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究

陈芳 房丹 王双鹏 方铉 唐吉龙 赵海峰 方芳 楚学影 李金华 王菲 王晓华 刘国军 马晓辉 魏志鹏

[摘要]采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700 ℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜.样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2015, 35(07):1787

 基于延时自外差法的窄线宽激光谱宽测量

魏志鹏

[摘要]详细介绍了延时自外差法测激光线宽的理论模型与测量原理,得到了光电流的功率谱密度函数,并进行了软件仿真,分析并讨论了延时光纤长短对测量结果的影响,提出了在延时光纤长度不足条件下求解超窄激光线宽数值解的新...

 PDF全文光学与光电技术 | 2015, 13(03):38

 化学气相沉积法制备Zn2GeO4纳米线及其发光性质的研究

周政 李金华 方芳 楚学影 方铉 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用化学气相沉积法(CVD),气-液-固(VLS)生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1 cm×1 cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,锌源与锗源质量比为8∶1时可成功制备出Zn2GeO4纳米结构...

 PDF全文中国光学 | 2014, 7(02):281-286

 镉掺杂氧化锌纳米花的制备及其光催化活性

翟英娇 李金华 陈新影 宋星慧 任航 方铉 方芳 楚学影 魏志鹏 王晓华

[摘要]以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料,采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂,并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、光致发光谱...

 PDF全文中国光学 | 2014, 7(01):124-130

 硬X射线聚焦波带片的设计及制作

付杰 王晓华 李金华 方铉 魏志鹏

[摘要]针对惯性约束性聚变(ICF)实验中高分辨靶源辐射成像的需要, 对结合电子束光刻和X 射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子束光刻和微电镀技术来制作X射线光刻掩...

 PDF全文光电工程 | 2014, 41(03):7-12

 形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究

吕珊珊 楚学影 王记萍 方芳 李金华 方铉 魏志鹏 王晓华

[摘要]采用溶剂热法, 通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光(CL)技术, 对不同形貌的...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):672-677

 自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质

王许杰 方芳 楚学影 方铉 李金华 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(03):306-311

 具有电子阻挡层的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器

安宁 刘国军 李占国 常量 魏志鹏 马晓辉

[摘要]为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性, 在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层。采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对 InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响。研究结...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(10):1205

 直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究

李婷 方芳 周政 赵海峰 方铉 李金华 楚学影 魏志鹏 房丹 王晓华

[摘要]利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(10):1188

 MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究

吕珊珊 方铉 王佳琦 方芳 赵海峰 楚学影 李金华 房丹 唐吉龙 魏志鹏 马晓辉 王晓华 浦双双 徐莉

[摘要]采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。 利用紫外-可见分光光度计、 X射线衍射仪、 光致发光、 霍尔...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2014, 34(09):2355-2359

 退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响

孙冬晓 李金华 方铉 陈新影 方芳 楚学影 魏志鹏 王晓华

[摘要]针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象, 进行了相应的实验研究分析。 采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜, 对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。 ...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2014, 34(07):1789-1792

 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn1-xO纳米纤维及其光学性质研究

贾慧民 唐吉龙 方铉 王双鹏 赵海峰 房丹 王晓华 方芳 李金华 楚学影 魏志鹏 马晓辉 徐莉

[摘要]采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维, 并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同 Mg 掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。 研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。 利用场发射扫描电子...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2014, 34(12):3197

 InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱

安宁 李占国 何斌太 芦鹏 方铉 魏志鹏 刘国军

[摘要]讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(11):111008

 980 nm半导体激光器n型波导结构优化

安宁 芦鹏 魏志鹏 李占国 马晓辉 刘国军

[摘要]为了提高980 nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(10):101015

 与掺杂浓度相关的ZnS∶Mn纳米粒子的发光性质

杜鸿延 魏志鹏 孙丽娟 楚学影 方铉 方芳 李金华 王晓华 王菲

[摘要]采用溶胶法制备了Mn掺杂的ZnS纳米粒子,探讨了掺杂离子浓度对ZnS∶Mn纳米粒子的晶体结构和发光性质的影响。通过X射线衍射(XRD)对样品的结构进行了表征,结果表明:所制备的ZnS∶Mn纳米粒子为立方闪锌矿结构,其在Mn离...

 PDF全文中国光学 | 2013, 6(01):111-116

 单模垂直腔面发射激光器的研究动态

郝永芹 晏长岭 马晓辉 刘国军 冯源 李特 魏志鹏 姜会林

[摘要]垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(10):100003

 表面修饰的ZnS∶Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测

杜鸿延 魏志鹏 李霜 楚学影 方铉 方芳 李金华 陈新影 王晓华

[摘要]采用水热法制备了ZnS∶Mn量子点, 探讨了掺杂离子浓度对ZnS∶Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。 通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明: 掺杂离子的摩尔分数达到2%时, ZnS∶Mn量子点在595 nm附近的发光最强; 继续...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(04):421-426

 GaSb基半导体激光器功率效率研究

王跃 刘国军 李俊承 安宁 李占国 王玉霞 魏志鹏

[摘要]为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150 ℃~450 ℃退火温度下欧姆接触的...

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(01):0102010

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