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 量子随机数高斯噪声信号发生器

余恒炜 孙晓娟 王星辰 蒋 科 吴 忧 程东碧 石芝铭 贾玉萍 黎大兵

[摘要]现有的高斯噪声信号发生器都是采用数学计算的方式生成随机数的, 这种方式不能实现真正的随机信号, 与实际噪声信号不符。本文提出基于量子随机数的高斯噪声信号发生器, 通过单光子探测器对选择路径的光子信号的探测作...

 PDF全文光学 精密工程 | 2019, 27(07):1492

 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律

王新强 黎大兵 刘 斌 孙 钱 张进成

[摘要]高质量氮化镓(GaN)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是GaN基材料及其量子结构的固有特点, 对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值, 受到各...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(11):1305

 SiO2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比, 沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级, 峰值光谱响应度提高了近...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(08):879-882

 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]采用热扩散方法, 对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250 ℃的温度下, 氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源, 可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(07):768-773

 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明: 与...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):581-585

 AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋 航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长aAlGaN外延膜,研究了AlN插入层对aAlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):519-524

 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 孙晓娟 陈一仁 贾辉

[摘要]通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(02):227-232

 GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜, 研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明, 低工作压强、短靶距...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1089-1094

 GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性

尤坤 宋航 黎大兵 刘洪波 李志明 陈一仁 蒋红 孙晓娟 缪国庆

[摘要]制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应。通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制;在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):55-61

 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM) 分析了样品的结晶质量以及外...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):82-87

 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

竹敏 宋航 蒋红 缪国庆 黎大兵 李志明 孙晓娟 陈一仁

[摘要]通过对多层GaSb量子点的生长研究, 发现随着生长层数的增加, 量子点尺寸逐渐变大, 密度没有明显变化, 并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时, 聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(06):859-863

 Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

于淑珍 缪国庆 金亿鑫 张立功 宋航 蒋红 黎大兵 李志明 孙晓娟

[摘要]采用金属有机化学气相沉积技术, 利用自催化法, 在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面, 在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似, 纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(05):767-772

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