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 硅基光电子集成光控相控阵的研究进展

庄东炜 韩晓川 李雨轩 宋俊峰

[摘要]光控相控阵(OPA)不需要机械转动即可实现光束在空间内的扫描,在激光测距以及自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景。硅基光电子集成技术可在芯片上实现光电子器件的大规模集成,并与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):050001

 半导体激光器阵列电光特性导数测量方法

梁庆成 石家纬 郭树旭 刘奎学 宋俊峰 曹军胜

[摘要]高功率阵列半导体激光器已得到广泛应用,对其质量和可靠性进行无损检测很有必要。在导数测试技术中,参数h是电导数曲线阈值处的下沉高度,参数Q是二阶光导数曲线阈值处的峰的高宽比。对导数测试参数h,Q与阵列激光器的单...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(05):1385-1389

 钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器

王海嵩 杜国同 崔宏峰 许呈栋 宋俊峰 杜云 陈弘达 吴荣汉

[摘要]采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW.

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(02):129-132

 非均匀阱宽多量子阱155 μm高功率 超辐射光源

刘杨 宋俊峰 曾毓萍 吴宾 张源涛 许呈栋 杜国同

[摘要]采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,制得了新型的1.55 μm高功率宽光谱InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱...

 PDF全文中国激光 | 2003, 30(02):109-112

 利用模式的对称性研究光子晶体光纤的色散

宋俊峰 王海嵩 张健 于硕 王立军 许武 杜国同

[摘要]由光子晶体光纤的对称性可以得到模式分布的对称性,根据模式的对称性选择适当的展开函数,可以使计算量大大减少。计算了六角结构光子晶体光纤的色散特性,得到了波长在1.55 μm处色散为零时,光子晶体光纤的结构参量所满...

 PDF全文光学学报 | 2003, 23(07):800-803

 光子晶体光波导传输特性研究

宋俊峰 常玉春 王海嵩 许武 王立军 杜国同

[摘要]用全空间的矢量波散射理论,研究了有限长二维光子晶体直波导的传输特性,计算了传输效率与波导长度的关系,并研究了蝶形光波导的耦合问题.

 PDF全文中国激光 | 2002, 29(08):711-713

 光子晶体光纤的基模分析

宋俊峰 王海嵩 常玉春 王立军 许武 杜国同

[摘要]简化了光子晶体光纤的模式计算公式,计算了六角晶格光子晶体光纤的色散关系,对不同空气柱半径的色散作了比较,发现随着空气柱半径的增加,模式折射率变小,波导模式色散的零色散点向长波方向移动.

 PDF全文光学学报 | 2002, 22(09):1032-1034

 倾斜脊形波导集成超辐射光源

刘杨 宋俊峰 曾毓萍 吴宾 张源涛 杜国同

[摘要]在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上,增加了脊形波导结构,制得了新型的1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源.发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力.在可测试范围内,在没有蒸镀腔面抗反...

 PDF全文中国激光 | 2001, 28(09):786-788

 倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源

刘杨 曾毓萍 宋俊峰 殷景志 杜国同

[摘要]为提高半导体超辐射器件的输出功率,在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上,将器件电流注入区中心轴线倾斜6°,制得了1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现这种新型结...

 PDF全文中国激光 | 2001, 28(05):412-414

 InGaAsP/InP超辐射集成光源

刘杨 刘琨 宋俊峰 殷景志 康博南 姜秀英 杜国同

[摘要]为提高半导体超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3 μm超辐射集成光源,其脉冲输出功率为50 mW,光谱宽度(FWHM)为28.9 nm。通过对放大器增益特性...

 PDF全文中国激光 | 2000, 27(05):397-400

 纵向耦合对垂直腔面发射激光器的影响

宋俊峰 付艳萍 李雪梅 刘杨 常玉春 杜国同

[摘要]考虑到垂直腔面发射激光器中的光子与载流子的纵向耦合, 在行波速率方程中引入了纵向耦合因子。 利用这个速率方程, 讨论了阈值电流与量子阱数目的关系, 计算结果表明光子与载流子的纵向耦合是不容忽视的。 给出了阈值...

 PDF全文光学学报 | 2000, 20(06):739-743

 半导体超辐射发光管自发发射因子的估算

赵永生 宋俊峰 韩伟华 李雪梅 杜国同 高鼎三

[摘要]自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数, 在以往对超辐射发光管的特性分析, 特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时, 多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子, 由于两者的光输出特性不同, 这种沿...

 PDF全文光学学报 | 1999, 19(04):452-456

 AlGaAs短波长超辐射集成光源

赵永生 孙中哲 李雪梅 宋俊峰 王之岭 姜秀英 杜国同 Shengli Wu Gregory Devane Kathleen A. Stair R. P. H. Chang

[摘要]设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FW...

 PDF全文光学学报 | 1998, 18(06):789-792

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