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 ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响

张勇辉 郭伟玲 秦园 李瑞 丁天平 沈光地

[摘要]用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(08):2401-2405

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