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 基于气液固模式生长的无缺陷闪锌矿结构GaAs/AlGaAs轴向异质纳米线

郭经纬 黄辉 任晓敏 颜鑫 蔡世伟 黄永清 王琦 张霞 王伟

[摘要]利用金辅助催化气液固机制,通过金属氧化物化学气相沉积技术,在GaAs(111) B衬底上生长了纯的闪锌矿结构GaAs/AlGaAs轴向异质纳米线。实验结果表明,Al原子增强了纳米线半径对生长速率的影响;纳米线生长的主要贡献来...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2011, 9(04):041601

 衬底对外延生长的F-P滤波器传输性能的影响

王伟 黄永清 段晓峰 颜强 任晓敏 蔡世伟 郭经纬 黄辉

[摘要]利用传输矩阵法研究了GaAs衬底对一种由在其上通过MOCVD外延生长得到的多模Fabry-Pérot滤波器的传输性能的影响。理论仿真表明,由于衬底的存在,该滤波器谐振透射峰的质量会因分裂而恶化;同时,该滤波器的峰值透...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2011, 9(11):111301

 温度对基于金辅助金属氧化物化学汽相沉积生长的GaAs纳米线影响

郭经纬 黄辉 叶显 任晓敏 蔡世伟 王伟 王琦 黄永清 张霞

[摘要]利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度(500 ℃,530 ℃,560℃)对纳米线形貌及晶体质量的影响。在较低生长温度时,纳米线生长...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(s1):s100107

 具有波长选择功能的单片集成Si基长波长光探测器

黄辉 任晓敏 吕吉贺 黄永清 王琦 蔡世伟

[摘要]报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻槽工序实现了高质量、无裂纹的...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(s1):356-359

 基于异变缓冲层与应变层超晶格的InP/GaAs异质外延

王琦 任晓敏 黄永清 黄辉 蔡世伟

[摘要]利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并进一步在正常InP外延层中插入In1-xGaxP/InP(x=7.4%)应变层超晶格。在不同低温GaAs缓冲层...

 PDF全文中国激光 | 2008, 35(s2):68-72

 金属有机物气相法在GaAs(100)衬底上异质生长InP外延层

熊德平 Deping Xiong 任晓敏 Xiaomin Ren 王琦 Qi Wang 周静 Jing Zhou 舒伟 Wei Shu 吕吉贺 Jihe Lu 蔡世伟 Shiwei Cai 黄辉 Hui Huang 黄永清 Yongqing Huang

[摘要]用低压金属有机物气相外延设备在GaAs(100)衬底上异质外延InP, 用X射线衍射仪(XRD)和室温光荧光(PL)来检测InP外延层的质量。通过优化低温缓冲层生长条件,探索退火和应变超晶格对外延层质量的影响,得到了最佳的I...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(07):422

 利用低压金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上生长异变In0.53Ga0.47As p-i-n型光探测器

王琦 Qi Wang 吕吉贺 熊德平 周静 黄辉 苗昂 蔡世伟 黄永清 任晓敏

[摘要]基于超薄低温InP缓冲层技术,在GaAs衬底上生长出了顶部光照型异变In0.53Ga0.47As p-i-n光探测器。该探测器的吸收层厚度为300nm,在

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(06):358

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