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 电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响

杨 新 郭伟玲 王嘉露 邓 杰 邰建鹏 孙 捷

[摘要]LED芯片作为LED光源的核心, 其质量直接决定了器件的性能、 寿命等, 因此在内量子效率已达到高水平的情况下, 致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。 由于蓝宝石衬底具有绝缘特性, 传统LED将N和P电极...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2020, 40(02):368

 高压LED芯片的研究进展

王嘉露 郭伟玲 李松宇 杨 新 孙 捷

[摘要]高压发光二极管(high-voltage light-emitting diode)具有工作电压高、 驱动电流小的特点, 还有封装成本低、 暖白光效高、 高可靠性驱动、 线路损耗低等优点, 这使其得到了广泛的研究与应用。 首先介绍了高压LED的...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2018, 38(08):2325

 GaN基HEMT器件的缺陷研究综述

郭伟玲 陈艳芳 李松宇 雷 亮 柏常青

[摘要]GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性, 在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前, HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是, 由缺陷产生的陷...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):760

 GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展

吴月芳 郭伟玲 陈艳芳 雷 亮

[摘要]作为宽禁带半导体器件, GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性, 这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题; 然后, 介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(04):477

 结温对高压白光LED光谱特性的影响

李松宇 郭伟玲 孙 捷 陈艳芳 雷 珺

[摘要]高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势, 但作为一种新型功率LED, 其光电热特性仍需深入研究。 该实验对6和9 V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装, 对封装样品进行了10~70 ℃的变温度...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2017, 37(01):37

 功率高压LED模组在不同应力下的老化实验

雷 珺 郭伟玲 李松宇 谭祖雄

[摘要]对LED进行应力加速老化实验及分析可以对器件可靠性做出最快、最有效的评估。本文将相同的6 V高压功率白光LED分为两组, 一组施加180 mA电流应力和85 ℃温度应力进行高温老化实验, 另一组施加180 mA电流应力、85 ℃高温...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(07):804

 静电对GaN基高压LED特性的影响

韩禹 郭伟玲 樊星 俞鑫 白俊雪

[摘要]对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000 V的反向人体模式静电打击, 每次静电打击后, 测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量, 研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结...

 PDF全文光子学报 | 2014, 43(08):0823003

 51 V GaN基高压LED的热分析

俞鑫 郭伟玲 樊星 白俊雪 程顺波 韩禹

[摘要]设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(02):213-217

 注入电流对绿光高压LED光电特性的影响

白俊雪 郭伟玲 俞鑫 樊星 刘建鹏 韩禹

[摘要]设计并制备了12 V 的GaN基绿光高压发光二极管(LED), 并对其进行了变电流测试。研究了绿光高压LED的正向电压、峰值波长、光功率以及光效等重要参数随注入电流的变化关系, 电流变化范围为3~50 mA, 测试温度为25 ℃。实...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(01):101-104

 具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性

郭伟玲 俞鑫 刘建朋 樊星 白俊雪

[摘要]研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。 6种样品被分为3组: 普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构, 一种具有电流阻挡层, 另一种没有电流阻挡层。每组...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(07):918-923

 不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响

曹伟伟 朱彦旭 郭伟玲 刘建朋 俞鑫 邓叶 徐晨

[摘要]电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率, 其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜, 并腐蚀出不同结构作为电...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(04):480-484

 静电对GaN基白光LED可靠性的影响

付三丽 杨维明 郭伟玲 陈建新 黄恒一

[摘要]对GaN基白光二极管(LED)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600V静电打击, 每次静电打击后, 测量LED电学参数和光学参数的变化。从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验表明: LED样品的I-V特性...

 PDF全文半导体光电 | 2013, 34(04):580-582

 一种基于伪失效寿命的LED可靠性快速评价方法

郭伟玲 樊星 崔德胜 吴国庆 俞鑫

[摘要]提出一种快速评价LED可靠性的有效方法。通过测试LED样品的伪失效寿命, 结合Minitab软件进行数据分析, 确定全部样品的伪失效寿命服从二参数的威布尔分布。通过计算威布尔分布尺度参数, 比较不同样品的尺度参数来评价产...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(02):213-217

 人体模式静电对GaN基蓝光LED载流子运动及其可靠性的影响

吴国庆 郭伟玲 朱彦旭 刘建朋

[摘要]对GaN基蓝光发光二极管(LED)分别施加-400, -800, -1 200, -1 500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后, 测量LED样品电学参数和光学参数的变化, 从理论上分析了静电对LED可靠性的影响。实验发现: 对GaN基蓝光LED进...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1132-1137

 GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性

崔德胜 郭伟玲 崔碧峰 丁艳 闫薇薇 吴国庆

[摘要]对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):93-96

 静电放电对GaN基功率型LED老化特性的影响

李伟国 崔碧峰 郭伟玲 崔德胜 徐昕伟

[摘要]对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD),并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析。实验结果及理论分析表明,ESD使LED芯片有源层及限制层中产生缺陷,最终导致电学特性...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(08):0823006

 高显色白光LED的制备及其变温特性

崔德胜 郭伟玲 崔碧峰 闫薇薇 刘莹

[摘要]分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管(LED),调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。对两种样品进行光学测试,发现加绿粉的样品光通量比较大,这是因为加绿粉后绿光成分...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(01):0123005

 温度对功率LED光谱特性的影响

丁天平 郭伟玲 崔碧峰 尹飞 崔德胜 闫薇薇

[摘要]制备了两种1 W白光功率发光二极管(LED), 这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片, 涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。 对制备好的LED进行了变温光学特性测试, 温度变化范围为15~75 ℃, 测试电流为350 ...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2011, 31(06):1450-1453

 人体模式静电放电对GaN基大功率发光二极管特性的影响

崔德胜 郭伟玲 崔碧峰 丁天平 尹飞 闫薇薇

[摘要]对GaN基大功率蓝光发光二极管(LED)分别施加了-200,-400,-600,-800,-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品电学参数和光学参数的变化,研究了静电对LED可靠性的影响,并从理论上分析了...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(03):0323004

 光粉比例对白光LED特性的影响

郭伟玲 崔德胜 崔碧峰 闫薇薇 刘莹

[摘要]用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED, 调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。 对样品进行光学测试, 发现黄粉与橙粉的比例小于7时, 黄光部分的峰值约590 nm, 比例大于7时, 黄光部分的峰值约570 nm; 显色指数和流明...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2011, 31(10):2680-2683

 ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响

张勇辉 郭伟玲 秦园 李瑞 丁天平 沈光地

[摘要]用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(08):2401-2405

 大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性

裘利平 郭伟玲 罗丹 崔碧峰 张蕾 沈光地

[摘要]利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器, 测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nm InGaAs SQW激光器在30~70 ...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(06):1356-1359

 大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法

贺卫利 郭伟玲 高伟 史辰 陈曦 吴娟 陈建新

[摘要]介绍了发光二极管(LED)的发展简史。提出可能影响LED可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和LED本身材料缺陷。对于LED可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一般采取加速实验的方法来测试推导LED寿命...

 PDF全文应用光学 | 2008, 29(04):0533-536

 焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响

张蕾 崔碧峰 黄宏娟 郭伟玲 王智群 沈光地

[摘要]针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响。模拟结果表明焊料空隙的位置...

 PDF全文中国激光 | 2007, 34(09):1203-1207

 基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究

王婷 郭霞 刘斌 牛南辉 郭伟玲 沈光地

[摘要]用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。采用波长248 nm的KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,实验结果与有限元数值模拟结果一致...

 PDF全文中国激光 | 2005, 32(09):1295-1299

 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究

王婷 郭霞 郭伟玲 牛南辉 沈光地

[摘要]对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型.计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布.得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限...

 PDF全文激光杂志 | 2005, 26(05):80-81

 隧道再生大功率半导体激光器瞬态热特性研究

鲁鹏程 崔碧峰 李建军 廉鹏 郭伟玲 邹德恕 沈光地

[摘要]讨论了隧道再生大功率半导体激光器内部的热源分布,利用有限元方法模拟计算了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布,同时测量了不同时刻波长的漂移量并换算为温升值,与计算结果进行了比较,二者基本吻合。模拟结果还表明靠近...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(05):518-522

 新型隧道带间级联双波长半导体激光器

李建军 沈光地 郭伟玲 廉鹏 韩军 邓军 邹德恕

[摘要]提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想,并以GaAs为隧道结,InGaAs应变量子阱为有源区,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了含有两个有源区的双波长半导体激光器。制备了90 μm条...

 PDF全文中国激光 | 2003, 30(11):961-964

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