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 稀土(La, Y)掺杂Ca2Si的电子结构及光学性质

邓永荣

[摘要]基于第一性原理计算了稀土元素La、Y分别掺杂和共掺杂Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明, La单掺杂和La/Y共掺杂使得Ca2Si晶胞体积增大, 带隙变窄, 而Y掺杂后晶胞体积减小, 带隙变宽。La...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(09):091601

 镧与铈共掺杂对锐钛矿相二氧化钛电子结构及光学性能的影响

谭永前 曾凡菊

[摘要]采用第一性原理, 研究了La、Ce单掺杂及La-Ce共掺杂对TiO2电子结构、差分电荷密度、态密度、光学性能的影响。研究结果表明, 由于La 5d电子态、Ce 4f电子态及Ti 3d电子态间的协同作用, La-Ce共掺杂相比于单掺杂的TiO2导...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(06):061603

 二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算

褚玉金 张晋敏 高廷红 田泽安 梁永超 陈茜 黄忠念 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论, 验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性, 计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明, 不同于三维GaAs, 二维GaAs最高的两个能带相互交叠, 显示...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(04):041601

 氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质的影响

容天宇 房丹 谷李彬 方铉 王登魁 唐吉龙 王新伟 王晓华

[摘要]利用等离子体增强原子层沉积系统, 使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀, 改善样品的发光特性.在室温下(300 K), 发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中, 发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰, 峰位位置...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0316001

 近红外光在皮肤组织中的传播和光纤探测结构设计

高静 韩光 卢启鹏

[摘要]为了研究近红外光在皮肤组织中的传播, 建立了人体皮肤组织模型, 包括不同入射波长下表皮、真皮、皮下组织的吸收系数、散射系数、折射率和各向异性因子.结合皮肤组织的光学性质, 采用蒙特卡罗方法分析了1 000~1 900 n...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(01):0129002

 二芳基乙烯的光学性质及其在超分辨光存储中的应用

刘铁诚 张力 孙静 钟羽武 王中阳 郭新军 阮昊

[摘要]利用开环态双光子吸收转化荧光光谱、荧光淬灭光谱等探究了二芳基乙烯的光学记录特性及参数, 得到其非线性吸收系数为3.46×10-13 m/W, 双光子吸收转化的阈值功率密度为107.36 GW/cm2, 荧光淬灭的阈值功率密度为2....

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(09):0903001

 ZnO纳米线表面改性及其光学性质

胡颖 李浩林 王登魁 贾慧民 魏志鹏 王晓华 方铉 房丹 王新伟

[摘要]利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(10):1003002

 酮类甲醛荧光探针的合成及其光学性质

张硕 李龙龙 赵宁 李冰 彭丹 李金辉 王峰 周宁宁 刘世新

[摘要]设计合成了两种化合物4-氨基4-(4-甲氧基苯基)-3-丁烯-2-酮(1b)和4-氨基-4-(1,3-亚甲二氧基苯基-5-基)-3-丁烯-2-酮 (2b), 测试了其在不同甲醛含量下的紫外吸收光谱及单光子荧光光谱。当含有100 μmol/L和5 μmol/L的甲...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1317

 LaCoO3及Ca-Fe共掺陶瓷材料的制备及红外发射率研究

刘庆生 常晴 李江霖 陈江安

[摘要]采用高温固相法制备了LaCoO3和La0.75Ca0.25Co0.5Fe0.5O3材料, 通过XRD、SEM、XPS和IR等检测手段对材料进行表征分析, 并运用计算机模拟软件CASTEP计算了材料的能带结构和光学性质。基于以上结果研究了钴酸镧系列材料的...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(08):1066

 Zn1-xMgxO电子结构及光学性质的第一性原理GGA+U方法研究

何旭 武莉莉 任胜强 张静全 都政

[摘要]Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn1-xMgxO(ZMO)(0≤x≤0.25)是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料, 在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值。基于密度泛函理论下的第一性原理超软赝势方法, 采用...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(06):795

 钴掺杂Mg2Si磁性和光学性质的第一性原理研究

廖杨芳 谢 泉 肖清泉 项飞羽 杨 真

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法研究了本征Mg2Si及钴(Co)掺杂Mg2Si体系的晶体结构、自旋态密度、磁性和光学性质。结果表明, Co替Mg(CoMg)缺陷的形成能为负, 可以形成稳定的缺陷。从自旋态密度可以看...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(03):376

 纳米尺度HfO2薄膜不同厚度对光学性质的影响

张寅辉 任玲玲 高慧芳 刘小萍

[摘要]HfO2薄膜厚度达到纳米级别时,其光学性质会发生变化。光谱椭偏仪能够同时得到纳米尺度薄膜的厚度和光学常数,但是由于测量参数的关联性,光学常数的结果不准确可靠。本文采用溯源至SI单位的掠入射X射线反射技术对纳米...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(03):375

 单芯帽纳米颗粒的光学性质

洪昕 王晨晨

[摘要]基于三维时域有限差分法,计算了非球对称单芯帽纳米颗粒在不同结构参数作用下的局域表面等离子体共振(LSPR)响应。采用模板法和真空蒸镀技术制备了SiO2@Au芯帽结构纳米颗粒,通过透射电子显微镜和紫外可见近红外分光光...

 PDF全文光学学报 | 2018, 38(05):0524001

 空位缺陷ZnS的电子状态、磁性质与光学性质研究

韦树贡 房慧 王如志 李凡生 黄灿胜 郝五零 孙毅

[摘要]基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、 磁性质和光学性质的影响。 结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25%时, ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征ZnS半导体增大 了6.4%, 达到2...

 PDF全文量子电子学报 | 2018, 35(04):507

 内建电场和流体静压力对GaN量子点中激子光学性质的影响

郑冬梅 肖波齐 黄思俞 王宗篪

[摘要]在有效质量和偶极矩近似下,考虑自发和压电极化产生的内建电场(BEF)、晶格失配产生的应变及外加流体静压力对材料参数的调节, 采用变分法和密度矩阵法,研究了内建电场及外加流体静压力对应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量...

 PDF全文量子电子学报 | 2018, 35(02):236

 脉冲激光沉积制备MgxNi1-xO 合金薄膜的表征及光学性质研究

孟 刚 王雪敏 俞 健 王朝阳 唐永健

[摘要]应用脉冲激光沉积(PLD)技术,固定脉冲激光能量密度为5 J/cm2,调节薄膜生长基底温度为300~700 ℃,制备了系列MgxNi1-xO合金薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微术(AFM)等表征分析手段,...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2018, 30(07):071003

 Au@Ag核-壳层纳米结构光学性质的研究

伊兆广 刘津升

[摘要]利用离散偶极近似(discrete dipole approximation,DDA)的方法,系统研究壳层的材料、尺寸及形貌等因素对Au@Ag核-壳纳米光学吸收谱的峰值、峰位的影响。研究表明在液体环境中金球颗粒计算的结果与Mie理论计算的结果吻合...

 PDF全文光散射学报 | 2018, 30(03):197

 利用太阳光度计进行北京地区气溶胶光学性质研究

牟福生 李素文 李昂 谢品华 王杨 徐晋 陈浩 吴丰成

[摘要]利用2011~2014年北京太阳光度计数据对北京地区的气溶胶光学特性进行了研究。北京地区气溶胶光学厚度(aerosol optical depth, AOD) 全年较高,四年440 nm波长的AOD年均值分别是0.67±0.70, 0.69±0.71, 0.73&...

 PDF全文大气与环境光学学报 | 2018, 13(02):88

 Ag-Ce共掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构与光学性质

曾凡菊 谭永前 余幼胜 张 颂 韩伟超 杨永亮

[摘要]利用Ag、Ce原子对锐钛矿相TiO2进行了替位掺杂,构建了Ag、Ce单掺杂及Ag-Ce共掺杂的锐钛矿相TiO2体系,并采用第一性原理计算研究了掺杂体系的电子结构及光学吸收特性。结果表明:Ag-Ce共掺杂后,Ag-4d和O-2p电子轨道的...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(07):071601

 Ag扩散对Ag/MgF2薄膜界面结构和光学性能的影响

王丽平 杨建新 韩培德

[摘要]采用密度泛函理论的第一性原理计算了不同Ag(111)/MgF2(001)薄膜界面结构的界面能,分析了薄膜界面稳定性。通过搭建Ag扩散的Ag(111)/MgF2(001)界面模型,研究了界面处Ag的扩散行为和扩散机理,分析了Ag扩散对薄膜光学性...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(06):061601

 N-Co共掺锐钛矿相TiO2光学性质的第一性原理研究

李鑫 范梦慧 杨云飞 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理和广义梯度近似方法, 对N、Co单掺以及两者共掺锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质进行了研究, 并探究了两种不同的N替换O位置对掺杂结果的影响。研究结果表明, N、Co单掺杂锐钛矿相Ti...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(12):121604

 Fe-S共掺杂纤锌矿ZnO的第一性原理

韩伟超 张 颂 欧满琳 李明军 尹海峰

[摘要]利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法, 研究了铁(Fe)、硫(S)单掺杂及Fe-S共掺杂氧化锌(ZnO)体系的能带结构, 并对态密度和光学性质进行了对比分析。结果表明: 掺杂后晶格发生畸变; S原子掺杂减小了ZnO的能带间隙, ...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(01):011601

 用GGA+U法研究稀土掺杂对ZnO电子结构磁性和光学性质的影响

杨志怀 张云鹏 许强 张美光 张蓉

[摘要]基于自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波模守恒赝势方法, 确定了准确计算Zn16O16超晶胞各原子对应的U值; 通过计算形成能和化学键的布局分析了掺杂结构的稳定性; 通过原子电荷布局和自旋电子态密度的计算分析...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(09):0916004

 GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

刘瑶 王颖 郭庆林 李晓莉 梁宝来 王淑芳 傅广生

[摘要]采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(08):0816002

 温度变化环境中Au纳米球光学性质的研究

罗道斌 韩香娥 段璐杰

[摘要]理论分析了贵金属纳米颗粒介电函数的尺寸及温度修正,考虑环境介质折射率的色散及随温度变化关系,计算了温度变化环境中Au纳米球的光学性质.结果表明,体相和纳米Au金属介电函数实部均随着温度升高而增大,而体相材料...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(06):0616008

 一种新型有机蓝光材料的合成及光物理性质研究

张 坤 金 凤 高玉龙 鲁天琪 王 坡 孙 林 陶栋梁 廖荣宝

[摘要]利用Witting反应合成了一种含吡啶和吡唑基团的π共轭结构刚性有机分子6-苯基-4′-(4-[4-(1H-吡唑)乙烯]苯基)-2, 2′-联吡啶, 采用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱、质谱等方法对其进行了表征。通过理论计算研究了...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(09):1179

 不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究

李 佳 黄文奇 张 鹏 吕媛媛 韩旭辉 卢贵武

[摘要]研究了不同方向、不同强度的应变对Ge光学性质的影响。结果表明, Ge在单轴张应变和双轴张应变的调控下, 均可由间接带隙转向直接带隙, 其中, 单轴应变有更低的转变点。Ge在常用波段处(0.4 eV)的介电函数实部和虚部在...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):702

 双氰基荧光染料的合成、光学性质及其生物成像

李龙龙 赵 宁 李 冰 彭 丹 周宁宁 刘世新

[摘要]设计合成了一种A-π-D-π-A型的双光子荧光染料3,6-双(4-乙烯基苯腈)-9-乙基咔唑, 测试了其在二氯甲烷(DCM)、乙酸乙酯(EA)、乙醇(EtOH)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)和磷酸缓冲盐溶液(PBS)等不同溶剂中的紫外吸收光谱、...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(12):1575

 AlN1-xPx合金电子结构及光学性质的第一性原理研究

侯嘉慧 贺达芳 陈晶晶 李春梅 程南璞

[摘要]基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势, 采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03 (HSE03)方法对能带及态密度进行修正, 研究了AlN1-xPx(x=0, 0.25, 0.50, 0.75, 1)合金的晶体结构、电子结构和光学性质。...

 PDF全文光学学报 | 2017, 37(05):0516002

 有机卤化物钙钛矿光电材料的光学性质

李叶舟 李衡 盛传祥

[摘要]介绍了代表性钙钛矿材料CH3NH3PbI3和带隙可调的钙钛矿材料CH3NH3PbI3-xBrx的电子能带结构和光学性质的研究进展; 同时讨论了现在光学性质研究中存在的问题和将来可能的研究方向。

 PDF全文光电子技术 | 2017, 37(03):163

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