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 X~Ku波段宽带驱动放大器设计

周守利 陈瑞涛 周赡成 李如春

[摘要]基于SiC衬底的0.25 μm GaN HEMT工艺, 设计了一款X~Ku波段宽带1 W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性, 并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2019, 31(03):033002

 基于REC技术的氮化镓激光器仿真分析

高 律 胡芳仁

[摘要]针对重构等效啁啾(REC)技术是否适用于氮化镓激光器的问题,提出了一种基于该技术的405 nm波段分布反馈(DFB)半导体激光器。基于传输矩阵法对该结构激光器的光学性能进行了仿真分析。仿真结果表明,利用该技术实现的激...

 PDF全文光通信研究 | 2018, 44(02):44

 氮化镓亚波长光栅偏振分束器的设计与分析

李 坤 胡芳仁 沈 瑞 高 律 周 叶

[摘要]基于亚波长光栅的泄漏模共振效应和等效介质理论,利用Comsol Multiphysics软件设计分析了针对1 550 nm工作波长的一维悬浮亚波长氮化镓光栅偏振分束器。通过改变光栅的宽度、高度以及周期来确定最终的参数。仿真结果显...

 PDF全文光通信研究 | 2018, 44(01):31

 Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性

韩晶晶 王晓丹 夏永禄 陈飞飞 李祥 毛红敏

[摘要]通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜, 利用离子注入方法将Eu3+离子注入到GaN基质中。X射线衍射结果表明: 经过退火处理后, 修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到GaN∶Eu3+材料在623 nm处有...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1268

 MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺

[摘要]采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜, 对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1285

 具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管

周弘毅 魏振东 刘英策 吴奇隆 李俊贤 陈凯轩

[摘要]通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法, 设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管, 有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(06):793

 柔性衬底上使用等离子增强原子层沉积制备的氮化镓薄膜物性分析

李美玲 何荧峰 卫会云 刘三姐 仇 鹏 宋祎萌 安运来 彭铭曾 郑新和

[摘要]采用等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在350℃温度下, 在KAPTON柔性衬底上直接生长出多晶GaN薄膜。利用低角度掠入射X射线衍射仪、AFM、SEM、TEM、XPS对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行了表征和分析。结果表明...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(06):819

 氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响

许 毅 吴庆丰 周圣军 潘 拴 吴小明 张建立 全知觉

[摘要]采用实验与理论模拟相结合的方法, 研究了氮化镓基绿光发光二极管(LED)中V坑对空穴电流分布的影响。首先, 实验获得了V坑面积占比不同的3种样品; 然后, 建立数值模型, 使得理论计算的外量子效率(EQE)及电压与实验测试的...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(05):674

 GaN微盘模式分布与强度研究

方华杰 高 鹏 蒋府龙 刘梦涵 徐 儒 周 婧 张 熬 陈 鹏 刘 斌 修向前 谢自立 韩 平 施 毅 张 荣 郑有炓

[摘要]使用时域有限差分方法系统地研究了直径从2 μm到50 μm的GaN基微盘在蓝光波段的模式强度和分布。设计了一种可以比拟微盘内高密度激子分布的偶极子排布方式, 使其能够激发盘内所有光学模式。研究了盘内最大激发强度和...

 PDF全文光电子技术 | 2018, 38(03):162

 基于径向波导合成技术的W波段功率放大器设计

黄昭宇 徐军 冉东 祁云飞

[摘要]基于径向波导合成技术, 设计了一款W波段功率放大器。功放采用4路氮化镓单片微波集成电路(MMIC)单片合成设计, 在90 GHz处输出功率为3.7 W, 合成效率为94.3%, 具有较好的工程应用价值。

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(04):454

 fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究

付兴昌 吕元杰 张力江 张彤 李献杰 宋旭波 张志荣 房玉龙 冯志红

[摘要]采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(01):15

 应用于微型成像的氮化镓超透镜设计

金 鑫 王 淼 周桃飞 曹 冰 张桂菊

[摘要]为了实现可见光入射时亚波长尺度内的聚焦, 设计了以氮化镓(GaN) 纳米柱为基本晶胞的超透镜, 该透镜能够改进传统成像系统的笨重低效, 可应用于微型成像系统。超透镜表面由宽度渐变高度不变的GaN纳米柱阵列构成, 分析G...

 PDF全文光学 精密工程 | 2018, 26(12):2917

 GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用

李祈昕 周泉斌 刘晓艺 王洪

[摘要]制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/...

 PDF全文光学与光电技术 | 2018, 16(06):71

 2~4 GHz宽带高效率功放的设计

孙洪铮 丁浩 王志刚

[摘要]针对宽带高效率功放的设计要求,基于宽带匹配网络设计了一款GaN宽带高效率功率放大器,其工作频率覆盖整个S波段。仿真结果显示,该功放在整个S频段内漏极效率(DE)大于62%,功率附加效率(PAE)大于57%,增益大于10.6 d...

 PDF全文太赫兹科学与电子信息学报 | 2018, 16(05):871

 L波段GaN自偏压功率放大器

李飞 钟世昌

[摘要]介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25 μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配,放大器的工作频带范围为1.2~1.4 GHz。采用自偏压技术,单电源供电,使电路更...

 PDF全文太赫兹科学与电子信息学报 | 2018, 16(05):918

 S波段GaN MMIC Doherty功率放大器

任健 要志宏

[摘要]采用 SiC衬底 0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺, 研制了一款 S波段 GaN单片微波集成电路 (MMIC)Doherty功率放大器, 在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率, 可用于小型基站。为减小芯片尺寸, 采用无源集总...

 PDF全文太赫兹科学与电子信息学报 | 2018, 16(02):363

 梯度掺杂结构GaN光电阴极的稳定性

李飙 任艺 常本康

[摘要]利用GaN光电阴极多信息量测试评估系统,对反射式梯度掺杂和均匀掺杂GaN光电阴极样品进行了激活及衰减后的量子效率测试,并测试衰减速率。在同样的衰减时间内,和均匀掺杂样品相比,梯度掺杂样品的衰减比例较小,衰减...

 PDF全文中国光学 | 2018, 11(04):677

 蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析

陈靖 程宏昌 吴玲玲 冯刘 苗壮

[摘要]为了研究蓝宝石/SiO2/AlN/GaN光阴极组件外延片热应力分布及影响因素, 以直径 d为φ40 mm的 GaN外延片为研究对象, 利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真, 验证了仿真模型的合理性。分析了外延片径...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(05):463

 非故意掺杂GaN层厚度对蓝光LED波长均匀性的影响

李天保 赵广洲 卢太平 朱亚丹 周小润 董海亮 尚 林 贾 伟 余春燕 许并社

[摘要]通过调整非故意掺杂氮化镓层的厚度, 分析氮化镓基LED外延生长过程中应力的演变行为, 以控制外延片表面的翘曲程度, 从而获得高均匀性与一致性的外延片。由于衬底与外延层之间的热膨胀系数差别较大, 在生长温度不断变化...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(09):1198

 梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响

李宝珠 黄 振 邓高强 董 鑫 张源涛 张宝林 杜国同

[摘要]采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层, 并通过改变3层梯度铝镓氮(AlxGa1-xN: x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量, 制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):780

 载流子分布对GaN基LED频率特性的影响

吴春晖 朱石超 付丙磊 刘磊 赵丽霞 王军喜 陈宏达

[摘要]分别在直流偏置和交流偏置下, 对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示, 通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(03):347

 梯度掺杂GaN光电阴极的光谱响应测试与分析

李飙 常本康 陈文聪

[摘要]用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线, 发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高,且长波响应提高较快;衰减过程中光 谱响应不断下降,长波响应下降得更快。...

 PDF全文量子电子学报 | 2017, 34(01):99

 二维电子气等离激元太赫兹波器件

秦 华 黄永丹 孙建东 张志鹏 余 耀 李 想 孙云飞

[摘要]固态等离激元太赫兹波器件正成为微波毫米波电子器件技术和半导体激光器技术向太赫兹波段发展和融合的重要方向之一。本综述介绍AlGaN/GaN异质结高浓度和高迁移率二维电子气中的等离激元调控、激发及其在太赫兹波探测器...

 PDF全文中国光学 | 2017, 10(01):51

 占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究

陈湛旭 万巍 陈耿炎 何影记 陈泳竹

[摘要]实验中在p-GaN层制备单层密排的聚苯乙烯(PS)纳米球作为掩模,通过改变纳米球掩膜的直径,制作了周期性的占空比不同的GaN纳米圆台阵列结构。实验结果表明,在归一化激发光功率后, p-GaN层制备纳米圆台阵列的LED出光...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(07):072201

 多层GaN外延片表面热应力分布及影响因素

陈 靖 程宏昌 吴玲玲 冯 刘 苗 壮

[摘要]为了研究蓝宝石/AlN/GaN外延片表面层热应力分布及影响因素, 以直径d为Φ40 mm的外延片为研究对象, 利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真, 验证了仿真模型的合理性。分析了外延片生长温度、蓝宝石...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(10):1021001

 角度可调谐硅基氮化镓导模共振滤波器

黄萍 赵紫娟 雒倩男 胡芳仁

[摘要]根据严格耦合波理论和等效介质理论, 研究了工作于1 300~1 400 nm波段的基于硅基GaN(氮化镓)亚波长光栅的导模共振滤波器。分别讨论了在强调制光栅和弱调制光栅作用下, 滤波器反射谱对光栅周期和入射角度的敏感性。利...

 PDF全文光通信研究 | 2016, 42(05):50

 基于氮化镓的通信波段可调DFB激光器的研究

朱敏杰 胡芳仁 杨海艳

[摘要]为了利用悬空的周期可调光栅控制激光器的波长输出, 采用了微机电系统技术中微驱动器与分布反馈激光器光栅相结合的结构, 根据严格耦合波理论和介质平板波导理论, 针对光通信的C波段, 利用有限元软件COMSOL, 建立了基于...

 PDF全文激光技术 | 2016, 40(01):60

 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响

刘青明 卢太平 朱亚丹 韩 丹 董海亮 尚 林 赵广洲 赵 晨 周小润 翟光美 贾志刚 梁 建 马淑芳 薛晋波 李学敏 许并社

[摘要]利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED, 并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(07):829

 SiO2对多层GaN外延片热应力分布影响的仿真分析

陈靖 程宏昌 吴玲玲 冯刘 苗壮

[摘要]为了研究SiO2对多层结构GaN外延片的热应力的影响,以直径d为Φ40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法分别对蓝宝石/AlN/GaN和蓝宝石/SiO2/AlN/GaN这两种光阴极组件外延片表面热应力进行理论计算和仿真。在其他...

 PDF全文应用光学 | 2016, 37(06):887

 GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性

蔡丽娥 张保平 张江勇 沈汉鑫 朱文章

[摘要]利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了 GaN 基垂直腔面发射激光器(VCSEL) 的多量子阱腔层结构。X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(04):452

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