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 红外 PbX量子点光致发光特性研究

耿蕊 张玉江 陈青山

[摘要]利用尺寸效应调节发光波长, PbX量子点可用于近红外波段的光致发光。实际应用中对其辐射荧光特性的检测与评估, 在设计器件、开发系统、提高量子点光致发光有效利用率等方面具有重要意义。本文对比分析了不同尺寸 PbX量...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(02):125

 Eu掺杂SiCxOy薄膜的Eu3+发光机制

王岩 林圳旭 宋捷 张文星 王怀佩 郭艳青 李洪亮 宋超 黄锐

[摘要]利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜, 研究薄膜的Eu3+发光激发机制。实验结果表明, 薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成; 随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%, 其红光强度增加3倍...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(08):1010

 单一基质双光色Ba10-x(PO4)4(SiO4)2∶xEu2+荧光粉的两步法制备与光谱调控

程志远 张彦杰 于晶杰 李德胜 曹冠英 赵作人

[摘要]采用两步法成功合成了单一基质双光色Ba10-x(PO4)4(SiO4)2∶xEu2+荧光粉, 研究了稀土离子占据不同的晶格格位对荧光粉光谱特性的影响。结果表明: 两步法合成的荧光粉发射光谱由414 nm的蓝光波带和504 nm绿光波带两种光...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):874

 铜掺杂氧化锌纳米棒的非线性光学响应竞争特性

戴军 陈景东 何影记 陈泳竹

[摘要]利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒, 研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中, 二次谐波峰非常弱, 几乎可以忽略, 存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):855

 局域表面等离激元对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响

许恒 闫龙 李玲 张源涛 张宝林

[摘要]Ag 纳米粒子的形貌对InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响。本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/GaN MQWs上, 然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子。通过改变Ag的沉积时间获得了具有不...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(03):324

 图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

吕凡敏 李 佩 王永进 胡芳仁 朱闻真

[摘要]GaN材料作为第三代半导体材料, 具有宽禁带、 直接带隙、 耐腐蚀等优点, 是一种非常有前景的MOEMS材料。 由于GaN的刻蚀目前尚未成熟, 因此图形化外延生长法是一种较好的选择。 本文基于SOI(silicon-on-insulator)基...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2017, 37(06):1946

 Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

张津豪 刘 绰 李 婉 郝 肖 吴 一 范志东 刘 磊 马 蕾

[摘要]以n型单晶Si(111)为衬底, 利用Au作为催化剂, 在温度、 N2流量和生长时间分别为1 100 ℃, 1.5 L·min-1和60 min的条件下, 基于固-液-固生长机制, 生长了直径为60~80 nm、 长度为数十微米的高密度Si纳米线。 随后...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2017, 37(05):1357

 高温固相法制备K1-xSr4(BO3)3∶xPr3+荧光粉及其光致发光性质研究

马诗章 冯文林 彭志清

[摘要]采用高温固相法成功制备了K1-xSr4(BO3)3∶xPr3+发光材料。X射线衍射图谱表明,所合成的样品具有Ama2空间点群对称结构。扫描电子显微镜分析结果表明,样品颗粒分散度和结晶性好,形貌不规则且表面分布有毛绒状细丝。当Pr...

 PDF全文光学学报 | 2017, 37(05):0516001

 射频磁控溅射法制备氮化硅基ZnO薄膜的光致发光性能研究

陈璟涵 姚文清 朱永法

[摘要]氮化硅薄膜因其耐腐蚀性、 高温稳定性和良好的机械强度等优点, 被广泛用作透射电子显微镜(TEM)、 扫描电子显微镜(SEM)、 原子力显微镜(AFM)、 X射线光电子能谱仪(XPS)、 能量色散X射线光谱仪(EDX)等的表征实验承载体...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2017, 37(02):391

 退火工艺对含硅量子点SiCx薄膜光谱特性的影响

赵飞 杨雯 陈小波 杨培志

[摘要]采用磁控共溅射法并结合微波退火和快速光热退火工艺, 在不同退火温度下制备了含硅量子点的富硅SiCx薄膜。采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、拉曼光谱和光致发光(PL)光谱技术对薄膜进行了表征, 研究了退火工艺对薄膜中硅量...

 PDF全文光学学报 | 2017, 37(01):0131002

 溶剂对Bi2WO6形貌及其γ射线屏蔽性能的影响

赵 杨 许云川 周 冬 张全平 郑 剑 李银涛 周元林

[摘要]通过简单的溶剂热法,在不添加任何表面活性剂的情况下,系统地研究吡啶、甘露醇、聚乙二醇和乙二醇四种溶剂对Bi2WO6辐射防护材料的影响。并利用XRD,SEM,TEM,HRTEM和DRS等分析技术对Bi2WO6晶体的组成、形貌、比表面积和...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2017, 29(04):044102

 相变区纳米硅氧薄膜的微观结构及光学特性

李晓苇 李云 郑燕 高东泽 于威

[摘要]为了研究硅异质结太阳电池中纳米硅氧薄膜的光电特性, 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了一系列不同晶态比例的nc-SiOx∶H薄膜, 利用拉曼散射光谱(Raman)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见透射光谱以及...

 PDF全文光学 精密工程 | 2017, 25(04):850

 占空比可调的氮化镓纳米圆台阵列的制备及其光致发光效率的研究

陈湛旭 万巍 陈耿炎 何影记 陈泳竹

[摘要]实验中在p-GaN层制备单层密排的聚苯乙烯(PS)纳米球作为掩模,通过改变纳米球掩膜的直径,制作了周期性的占空比不同的GaN纳米圆台阵列结构。实验结果表明,在归一化激发光功率后, p-GaN层制备纳米圆台阵列的LED出光...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(07):072201

 CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性

邢正伟 沈鸿烈 李金泽 张三洋 杨家乐 姚函妤 李玉芳

[摘要]为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性, 选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片, 先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅, 再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、...

 PDF全文光子学报 | 2016, 45(09):0916001

 表面等离子体共振增强ZnO/Ag薄膜发光特性研究

李修 徐艳芳 辛智青 李亚玲 李路海

[摘要]为了提高氧化锌光致发光强度, 以磁控溅射氧化锌/银复合薄膜为研究对象, 系统地研究了氧化锌薄膜的光学性质。实验中首先在硅衬底上用射频磁控溅射的方法沉积氧化锌/银复合薄膜, 作为对比, 同时沉积了一层氧化锌薄膜。...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(06):0621005

 a-SiNx:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究

张 娜 周炳卿 张林睿 路晓翠

[摘要]为了研究热丝温度对a-SiNx:H薄膜性能的影响,采用热丝化学气相沉积法,以SiH4,NH3,H2为反应气源,改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外-可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观...

 PDF全文激光技术 | 2016, 40(03):413

 溶剂对石墨烯量子点荧光性质的影响

姬子晔 张海明 吴磊 白小刚 黄丹

[摘要]采用柠檬酸热解法制备了石墨烯量子点(GQDs), 研究了非极性溶剂戊烷, 极性溶剂乙醇、丙酮、乙二醇对GQDs荧光性质的影响。透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)图像表明, 制备的GQDs尺寸分布在2~12 nm(平均尺寸为4....

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(09):1031

 AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究

沈龙海 张轩硕

[摘要]采用直流电弧放电方法, 在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明: 所制...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(08):927

 室温快速液相沉淀法制备吡嗪四甲酸钐配合物及其光致发光性能研究

宁张磊 杨丹丹 雷晰婷 陆映炯 何 林 贺 希 刘梦娇 高道江 李文军

[摘要]采用室温快速液相沉淀法制备了吡嗪四甲酸钐亚微米椭球配合物材料。通过红外光谱、能谱、扫描电子显微镜、紫外可见光谱和荧光光谱对制备的配合物进行了表征和性能测定。结果表明: 溶液的pH值对产品的形貌和光致发光性...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(08):906

 射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性

许留洋 高 欣 袁绪泽 夏晓宇 曹曦文 乔忠良 薄报学

[摘要]采用射频等离子方法,对GaAs(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360 ℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(05):556

 基于光子晶体渐变型双异构微腔的掺铒硅光致发光研究

王玥 安俊明 吴远大 胡雄伟

[摘要]实验验证了室温下二维氧化物下包层非对称平板三角晶格光子晶体渐变型双异构微腔对绝缘体上硅(SOI)基片上铒氧共掺硅材料的显著发光增强作用。在波长为488nm、功率为15mW激光激发下, 微腔的光致发光(PL)谱呈现出一个位...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):467

 NBT-Eu纳米粉体的水热合成及其发光性能研究

孙建建 陈鹏飞 张帅 方必军 丁建宁

[摘要]采用水热合成法、在不同条件下制备Na0.5Bi0.49Eu0.01TiO3(NBT-Eu)纳米粉体。通过X射线粉末衍射(XRD)、紫外-可见光谱、透射电子显微镜、荧光光谱对样品进行表征。结果表明,在200 ℃、碱浓度12 mol·L-1、反应时间...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):151

 Tb掺杂Si纳米线的光致发光特性

范志东 周子淳 刘 绰 马 蕾 彭英才

[摘要]以金属Au-Al为催化剂, 在温度为1 100 ℃, N2气流量为1 500 sccm、 生长时间为30 min, 从Si(100)衬底上直接生长了直径约为50~120 nm、 长度为数百纳米的高密度、 大面积的Si纳米线。 然后, 利用Tb2O3在不同温度(1 00...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(07):2055

 氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响

张林睿 周炳卿 张 娜 路晓翠 乌仁图雅 高爱明

[摘要]采用等离子体增强化学气相沉积技术, 以N2掺入到SiH4和H2的沉积方式, 分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。 通过紫外-可见光吸收光谱、 傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、 拉曼光谱和光致发光谱...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(07):2048

 氧化锌薄膜的缺陷发光和它作为白光光源的潜在应用

刘 石 陈永健 崔海宁 孙胜男 王子涵 王海水

[摘要]ZnO发光二极管(LEDs)在照明应用方面有着巨大的潜力。 需要解决的主要问题是光的产生和对辐射的控制, 这个问题来自LED波长的变化和组合。 发现缺陷发光的ZnO有着各种波长范围, 适合LED在白光产生方面的应用。 同时展...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(05):1604

 镶嵌有纳米硅的SiNx薄膜光致发光的温度依赖特性研究

刘建苹 郑 燕 刘海旭 于 威 丁文革 赖伟东

[摘要]采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜, 然后在形成气体FG(10%H2, 90%N2)气氛中进行450 ℃常规热退火50 min。 通过荧光光谱仪测得的稳态/瞬态光致发光(PL)谱研究了镶嵌有纳米硅的氮化硅(Si...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(03):653

 PbSe量子点荧光匹配气体吸收光谱方法研究

邢笑雪 秦宏伍 商微微

[摘要]PbSe量子点(PbSe-QDs)是红外波段的典型纳米材料, 其具有大的玻尔半径、 小的体材料禁带宽度(玻尔半径是46 nm, 体材料禁带宽度是0.28 eV), 因此, 在近红外区域, PbSe-QDs具有强大的尺寸受限效应和较高的量子产出率...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(11):3588

 氧化铝、 金和氧化锌构成的类“法国梧桐树”坚果球表面上氧化锌针的生长和特性

朱 琳 崔海宁 B. Marí 王钇心 王 荣 李晓霞

[摘要]复杂的氧化锌复合材料在光电设备方面有着很大的潜在应用。 报道一种特殊 “果球”的模拟生长——由Al2O3, Au和ZnO制成的天然 “法国梧桐悬铃坚果”。 这种“法国梧桐悬铃坚果”表面有许多小的、 溅射在Al2O3表面上的...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(10):3394

 利用光致发光技术研究多晶硅片厚度对太阳电池性能的影响

牛晓龙 乔松 张莉沫 潘明翠 张运锋 高文宽 倪建雄

[摘要]利用光致发光技术对两种厚度的多晶硅片进行缺陷检测并分类, 在缺陷比例相同的条件下分析了硅片厚度对太阳电池性能的影响。薄(175 μm)太阳电池在开路电压、短路电流、转换效率方面明显低于同等缺陷的厚(190 μm)电池...

 PDF全文光电子技术 | 2016, 36(01):55

 重离子辐照SiO2/Si结构变温光致发光谱研究

马瑶 龚敏 刘鑫 胥鹏飞 林巍 冷宏强

[摘要]本文研究了重离子辐照前后SiO2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36 nm和90 nm的SiO2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO2/Si结构的光致...

 PDF全文光散射学报 | 2016, 28(04):369

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