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 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响

智民 方铉 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏

[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603

 InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au 合金化欧姆接触

张静 吕红亮 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明

[摘要]为了得到较低的接触电阻, 研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275 °C和20 s时, InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):679

 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响

肖和平 郭冠军 马祥柱 张双翔

[摘要]应用电子束蒸镀氧化铟锡(ITO)薄膜, 在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火(RTA)处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术、扫描电子显微镜(SEM)、可见光分光谱仪、四探针测试仪测试了快速热退火...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(01):013102

 快速热退火处理ZnO电子传输层对聚合物太阳能电池性能的改善

赵宇涵 李雪 关海艳 杜金峰 张健 李传南 汪津

[摘要]采用快速热退火对ZnO薄膜进行后处理, 制作了ITO/ZnO/PTB7∶PC71BM/MoO3/Ag结构的倒置聚合物太阳能电池, 器件能量转换效率达到了8.1%, 与传统热退火工艺相比提高了11.26%。通过原子力显微镜、扫描电子显微镜、X光衍射...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(08):1063

 不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析

李 平 李 淘 邓双燕 李 雪 邵秀梅 唐恒敬 龚海梅

[摘要]为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是: 台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(05):0520002

 热退火诱导纳米银膜形貌变化对表面等离激元共振特性的影响

于威 刘玉梅 戴万雷 王新占 路万兵 李晓苇 傅广生

[摘要]采用磁控溅射技术制备并通过不同温度的快速热退火得到了不同表面形貌的纳米银膜。 利用XRD, SEM和紫外-可见-近红外透射光谱等技术研究了纳米银膜的结构、 表面形貌与光学性质。 实验结果表明, 随着退火温度的升高, 银...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2013, 33(04):906-910

 Cu(In,Ga)Se2太阳能电池快速热退火效应

杨洁 陈东生 郑玲玲 杜汇伟 周平华 石建伟 徐飞 马忠权

[摘要]利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有 7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2012, 24(07):1629-1632

 快速热退火对Co/Si0.85Ge0.15肖特基结电学特性的影响

王光伟 姚素英 肖夏 徐文慧

[摘要]用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(09):924-928

 ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响

张勇辉 郭伟玲 秦园 李瑞 丁天平 沈光地

[摘要]用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(08):2401-2405

 快速热退火对纳米晶粒SnO2薄膜性质的影响

秦苏梅 童梓洋 邓红梅 杨平雄

[摘要]以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2008, 27(02):101-104

 利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒

薛清

[摘要]报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀...

 PDF全文量子电子学报 | 2006, 23(04):0565-568

 热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响

薛清 黄远明

[摘要]含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量...

 PDF全文量子电子学报 | 2002, 19(05):461-466

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