首页 > 论文 > 标签

Hi,您目前在 全部期刊 'InGaAs探测器', 共找到 11个内容。

   将选定结果: 

 InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化

邓洪海 杨波 夏辉 邵海宝 王强 王志亮 朱友华 黄静 李雪 邵秀梅 龚海梅

[摘要]采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟, 并利用制备的Au/P-In0.52...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0304001

 基于InGaAs探测器的日光条件光子计数实验

丁宇星 李永富 刘鸿彬 黄庚华 王建宇

[摘要]介绍了基于InGaAs单光子探测器的日光条件测距实验,通过压缩激光接收视场、使用超窄带滤光片、结合超快主动淬灭电路等降低InGaAs单光子探测器死时间的方法,成功地进行了基于InGaAs单光子探测器的日光条件光子计数测...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(11):1104003

 增强短波红外InGaAs探测器透过率的纳米光天线研究

姚鹏飞 李淘 李雪 邵秀梅 龚海梅

[摘要]过去几十年中, 短波红外 InGaAs探测器被广泛用于近红外探测系统中, 通过将 InGaAs光电探测器与纳米光天线结合可以增强光吸收并提高量子效率。然而, 这种纳米光天线往往由聚焦离子束或电子束光刻制备而成, 制备成本较...

 PDF全文红外技术 | 2018, 40(09):843

 高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究

樊鹏 付倩 申志辉 唐艳 柳聪 崔大建

[摘要]高速InGaAs光电探测器在天基平台中的应用正逐渐广泛, 研究空间辐射环境对高速InGaAs光电探测器性能的影响有着重要意义。采用实时测试法, 研究了不同剂量及不同剂量率的γ辐照对高速InGaAs光电探测器响应度、3dB带宽及...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(04):486

 InP/InGaAs探测器对伪装目标成像研究

向 梦 邵文斌 史衍丽

[摘要]高性能InP/InGaAs 宽光谱探测器将前截止波长延伸到0.9 ?m 之前,实现可见/短波双波段探测,大大丰富了探测目标的信息量,提高对目标的识别率。本文采用InP/InGaAs 宽光谱探测器相机,通过设置一系列伪装实验,对比不...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(10):873

 线阵InGaAs扫描FBG反射谱的传感解调方法

李 红 祝连庆 张钰民 刘 锋 骆 飞 黄强先

[摘要]研究并实现了一种基于256像元线阵InGaAs扫描的光纤布拉格光栅传感解调系统。针对线阵InGaAs探测器,分析了光纤光栅反射谱中心波长定位原理,可实现多个FBG光谱的同时解调,单通道解调传感器数量取决于FBG的带宽和中心...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(01):0122004

 n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

石 铭 邵秀梅 唐恒敬 李 淘 黄 星 曹高奇 王 瑞 李 平 李 雪 龚海梅

[摘要]采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4 μm的延伸波长8×1元线列InGaAs探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively co...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(01):47

 0.4~1.7 μm宽波段大相对孔径光学系统设计

曲锐 邓键 彭晓乐 曹晓荷

[摘要]从宽波段范围的消色差条件出发,列表对比了常用光学玻璃材料在可见光、近红外和短波红外三个宽波段范围的色散特性,指出光学玻璃材料在不同波段色散特性的差异,据此论述了一种宽波段光学系统设计过程中各光学玻璃材...

 PDF全文光学学报 | 2015, 35(08):0822007

 异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究

曹高奇 唐恒敬 李淘 邵秀梅 李雪 龚海梅

[摘要]为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型(TLM),对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10-4Ω·cm2,同时,对欧姆接触的温...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(06):0721

 InGaAs近红外相机成像技术研究

杨寸明 卢杰 温中流 柴智 邹文辉

[摘要]论述了近红外成像原理及优点, 探讨了InGaAs近红外相机组件的核心器件——近红外探测器及其探测器驱动电路、信号处理电路和接口电路等电路组成, 阐述了通信流程和疵点补偿方法, 通过成像效果对比, 详细分析了红外相机...

 PDF全文半导体光电 | 2014, 35(03):543-545

 平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

邵秀梅 李淘 李雪 邓洪海 程吉凤 徐勤飞 肖功海 汪洋 陆华杰

[摘要]采用晶格匹配的平面型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计改...

 PDF全文光学与光电技术 | 2014, 12(01):75-79

 InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能

王云姬 唐恒敬 李雪 段微波 刘定权 龚海梅

[摘要]为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38 μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微...

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(05):0507002

 640×512 InGaAs探测器驱动电路设计

刘云芳 李建伟 李玉敏 冯旗

[摘要]在介绍了640×512 InGaAs探测器工作原理的基础上,详细分析了InGaAs探测器驱动电路的组成原理、设计方法,重点是偏置电压电路、脉冲电压与控制信号驱动电路、探测器工作温度检测及控制电路的设计等关键技术。采用...

 PDF全文红外技术 | 2012, 34(03):146-150

 InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

莫德锋 刘大福 徐勤飞 吴家荣

[摘要]设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率 的因素。结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0.9 ~ 1.7 m波段,当采用与芯片尺径相当 ...

 PDF全文红外 | 2012, 33(03):17-21

 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

朱耀明 李永富 李雪 唐恒敬 邵秀梅 陈郁 邓洪海 魏鹏 张永刚 龚海梅

[摘要]在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(01):11-15

 InGaAs探测器偏振响应特性的实验研究

唐恒敬 李永富 李雪 龚海梅

[摘要]分析了光电探测器偏振响应产生的原因,定义了探测器偏振敏感度的公式,制备了测试用InGaAs探测器。为了测试器件的偏振敏感度,搭建了测试系统,并对器件的偏振敏感特性进行了测试。结果表明,测试系统具有较好的稳定...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2011, 48(04):040401

 光谱成像用红外焦平面读出电路研究

张伟 黄张成 黄松垒 方家熊

[摘要]红外焦平面是光谱成像系统的核心器件。讨论了多光谱用红外焦平面读出电路的特点,设计了用于多光谱成像的64×16元红外焦平面读出电路。读出电路采用CTIA输入级,快照式曝光方式,边积分边读出工作。电路芯片与In...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(02):272-275

 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性

顾溢 王凯 李成 方祥 曹远迎 张永刚

[摘要]利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(06):481-485

 AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用

李永富 唐恒敬 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅

[摘要]为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用, 设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2010, 29(06):401-405

 台面结铟镓砷探测器中N型磷化铟欧姆接触研究

汪洋 唐恒敬 李雪 龚海梅

[摘要]台面铟镓砷(InGaAs)探测器制备工艺包括n型InP欧姆接触和较好可靠性的延伸电极。采用Cr/Au作为n型InP欧姆接触, 通过传输线模型和俄歇电子谱(AES)研究了Cr/Au与n型InP在不同退火条件下的欧姆接触和界面结构, 实验表明C...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(s1):374-376

首页上一页1下一页尾页