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  2 μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

李 翔 汪 宏 乔忠良 张 宇 徐应强 牛智川 佟存柱 刘重阳

[摘要]展示了一种低阈值(~131 A/cm2)2 μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well, SQW)激光器, 并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0503001

 InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究

陈燕文 文静 文玉梅 李平 王三山

[摘要]针对InGaN/GaN多量子阱LED, 分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制, 从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系, 以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实, 在低注入强度下...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):42

 酞菁铜缓冲层对有机太阳能电池开路电压的影响

王桂伟 邢英杰

[摘要]用p型有机半导体材料酞菁铜作为阴极缓冲层制作了器件结构为氧化铟锡/酞菁锌/碳六十/酞菁铜/铝的有机小分子太阳能电池, 对器件进行电学测量发现酞菁铜缓冲层的厚度对器件的开路电压有明显影响.基于半导体器件物理分析...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(04):0396

 光/电激发方式对AlGaInP及GaN基LED电学特性的影响

文静 庄伟 文玉梅 李平 赵学梅 马跃东

[摘要]采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征, 并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响LED理想因子的因素, 确定理想因子的适宜注入强度范围。研究结果...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(10):1057-1063

 快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

王光伟 姚素英 徐文慧 王雅欣

[摘要]采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17。在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/...

 PDF全文液晶与显示 | 2011, 26(05):582-586

 Analysis ofI-VThermal Characteristic on GaN-based p-i-n Ultraviolet Detector

XIE Xue-song ZHANG Xiao-ling LV Chang-zhi LI Zhi-guo FENG Shi-wei XU Li-guo

[摘要]

 PDF全文半导体光子学与技术 | 2007, 13(01):76-79

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