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 Emerging photoluminescence from defective vanadium diselenide nanosheets

Amir Ghobadi Turkan Gamze Ulusoy Ghobadi Ali Kemal Okyay Ekmel Ozbay

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2018, 6(04):244-253

 Enhanced light emission from AlGaN/GaN multiple quantum wells using the localized surface plasmon effect by aluminum nanoring patterns

Kyung Rock Son Byeong Ryong Lee Min Ho Jang Hyun Chul Park Yong Hoon Cho Tae Geun Kim

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2018, 6(01):30

 具不同碱基数单链核酸的光致发光特性

梁昌能 张杰 徐文 丁岚 钱伟 李旋

[摘要]采用标准光荧光方法, 在不加入探针或荧光、磷光染料的情况下, 测量了具有56个和29个碱基的两种核酸单链样品的光致发光特性; 该方法不会对样品造成破坏或污染。结果表明: 当激发波长在310~410 nm之间时, 能够在410~48...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(03):033004

 氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质的影响

容天宇 房丹 谷李彬 方铉 王登魁 唐吉龙 王新伟 王晓华

[摘要]利用等离子体增强原子层沉积系统, 使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀, 改善样品的发光特性.在室温下(300 K), 发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中, 发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰, 峰位位置...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0316001

 等离子体氮钝化GaSb材料表面特性研究

刘晓敏 房丹 谷李斌 方铉 王登魁 唐吉龙 王新伟 王晓华

[摘要]利用等离子体增强原子层沉积系统, 以逐层刻蚀方式对GaSb进行氮(N)钝化处理, 研究了钝化过程中刻蚀周期对GaSb钝化效果的影响。研究结果表明, 当刻蚀周期数为200时, 钝化效果最好; 刻蚀周期数不足(100)时, 钝化效果最弱...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(01):0103001

 基于步进扫描傅里叶变换的红外光致发光研究

周旭昌 杨 彦 覃 钢 张 阳 李东升 木迎春

[摘要]搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统,结合FTIR 光谱仪的步进扫描功能,在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明,相对于常规的连续谱扫描,步进扫描的方式成功地抑制了背景辐...

 PDF全文红外技术 | 2018, 40(01):11

 牛血清蛋白-Au配合物及其复合物制备及表征

王圣琼 孙 畅 陶春先 韩朝霞 洪瑞金 林 辉 张大伟

[摘要]以牛血清蛋白(bovine serum albumin,BSA)、氯金酸(HAuCl4)、NaOH等为原料,采用一锅合成法制备了牛血清蛋白-Au配合物(BSA-Au),观察到了样品的宽带红光荧光发射。通过库仑力作用将BSA-Au与表面带有正电荷的金纳米颗粒进...

 PDF全文光学仪器 | 2018, 40(01):13

 液晶-氧化锌纳米复合材料的可调发光

陈兰莉 刘斌 石明吉

[摘要]采用超声波分散技术,选用氧化锌纳米晶体和液晶(N-(4-methoxybenzylidene)-4-ethoxybenzenamine),制成液晶质量分数分别为10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%的液晶-氧化锌纳米复合材料。通过X射线衍射仪、透射...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(04):562

 Sm3+掺杂对SrLaGa3O7自身长余辉发光性质的影响

郑升辉 刘亚楠 李月婵 付晓燕 张洪武

[摘要]采用高温固相法制备了SrLaGa3O7∶xSm3+长余辉材料,通过XRD、荧光光谱、热释光谱分别对样品的结构以及发光性能进行了研究,探究了Sm3+掺杂浓度对样品自身长余辉发光性能的影响。研究结果表明:样品在254 nm紫外光照射...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(03):287

 SiO<>sub>2钝化提高CdSe/ZnS量子点的发光稳定性

宁平凡 刘宏伟 牛萍娟 刘国旭 李晓云 韩丽丽 高轶群

[摘要]光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一, 本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法。首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了6...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(02):109

 退火温度对Ga掺杂SnO2薄膜结构和光致发光特性的影响

朱毕成 周亚伟 徐文武 李静静 何春清

[摘要]利用电子束蒸镀在石英玻璃上制备出Ga掺杂的SnO2(SnO2∶Ga)薄膜。结合X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光谱, 研究了不同退火温度对薄膜的结构与发光特性的影响。研究结果表明: 当退火温...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(01):61

 Ce掺杂Si纳米线的制备及其蓝光发射特性

范志东 刘 绰 李 旭 马 蕾 彭英才

[摘要]以抛光和“金字塔”织构表面的单晶Si(100)为衬底, 分别以Au和Au-Al为金属催化剂, 在温度为1 100 ℃、 N2气流量为1 500 sccm、 生长时间为15~60 min等工艺条件下, 制备了直径约为50~200 nm、 长度为数微米至数十微米...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2018, 38(01):281

 二维过渡金属硫属化合物的激光发射

郑婷 南海燕 吴章婷 倪振华

[摘要]以二硫化钼(MoS2)为代表的二维过渡金属硫属化合物(TMDs)具有随厚度/层数变化的光学和电学性质,并且展示出独特的激子效应和较高的光学量子产率,在光电子器件中具有很好的应用前景。近年来,基于TMDs材料的光学性质和...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(04):040003

 Tip-enhanced photoluminescence spectroscopy of monolayer MoS2

Lingyan Meng Mengtao Sun

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2017, 5(06):745

 Direct bandgap photoluminescence from n-type indirect GaInP alloys

Cong Wang Bing Wang Riko I. Made Soon-Fatt Yoon Jurgen Michel

[摘要]

 PDF全文Photonics Research | 2017, 5(03):239

 CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面及其掺杂光纤的传光特性

程成 黄媛 姚建华

[摘要]测量了不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶,制备了掺杂浓度为0.1~5 mg...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(09):0916001

 PbSe量子点硅酸盐玻璃光纤的制备及光纤光致荧光光谱特性

程成 席子扬 姚建华

[摘要]对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130 μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5 nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(06):0616001

 二价与三价铕共掺杂的硫酸锶荧光特性

李筠申 翟保改 刘大庆 杨龙 黄远明

[摘要]以三价铕离子为单一铕源, 采用化学共沉淀法制备了二价铕与三价铕共掺杂的SrSO4荧光粉体材料.通过X射线衍射仪、扫描电镜、光致发光谱仪对该荧光粉的晶体结构、形貌、光致发光特性进行分析.研究发现: 所合成的SrSO4粉体...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(10):1016001

 红外 PbX量子点光致发光特性研究

耿蕊 张玉江 陈青山

[摘要]利用尺寸效应调节发光波长, PbX量子点可用于近红外波段的光致发光。实际应用中对其辐射荧光特性的检测与评估, 在设计器件、开发系统、提高量子点光致发光有效利用率等方面具有重要意义。本文对比分析了不同尺寸 PbX量...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(02):125

 nc-Ge/SiNx多层膜的光致发光特性

李 悰 许彦鑫 何宏平

[摘要]通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化, 制备了nc-Ge/SiNx多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射, 发光波长为500 nm。通过分析, 排除了与量子限制效应有关的光发射机制, 也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制, 认...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(09):1173

 非晶SiCxOy薄膜的可调强光发射机制

王怀佩 林圳旭 宋 捷 张文星 王 岩 郭艳青 李洪亮 宋 超 黄 锐

[摘要]采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术, 以SiH4、CH4和O2作为反应气源, 通过调控O2流量在250 ℃下制备强光发射的非晶SiCxOy薄膜。利用光致发光光谱、荧光瞬态谱、Raman光谱、X射线光电子能谱及红外吸收谱对薄膜的光...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(09):1167

 Eu3+离子激活荧光粉Ca1.9Eu0.1NaMg2-xZnx(VO4)3(0≤x≤1)的发光性质

阮威威 刘志国 刘成振 阮健 韩建军 赵修建

[摘要]采用固相反应法合成了Eu3+离子激活的Ca1.9Eu0.1NaMg2-xZnx(VO4)3(0≤x≤1), 并研究了其发光和热猝灭性能。经粉末X射线衍射确认, 反应产物由目标相和微量杂质相EuVO4构成。在355 nm激发下, 样品中均能同时观察到来自[...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(08):995

 Eu掺杂SiCxOy薄膜的Eu3+发光机制

王岩 林圳旭 宋捷 张文星 王怀佩 郭艳青 李洪亮 宋超 黄锐

[摘要]利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜, 研究薄膜的Eu3+发光激发机制。实验结果表明, 薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成; 随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%, 其红光强度增加3倍...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(08):1010

 单一基质双光色Ba10-x(PO4)4(SiO4)2∶xEu2+荧光粉的两步法制备与光谱调控

程志远 张彦杰 于晶杰 李德胜 曹冠英 赵作人

[摘要]采用两步法成功合成了单一基质双光色Ba10-x(PO4)4(SiO4)2∶xEu2+荧光粉, 研究了稀土离子占据不同的晶格格位对荧光粉光谱特性的影响。结果表明: 两步法合成的荧光粉发射光谱由414 nm的蓝光波带和504 nm绿光波带两种光...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):874

 铜掺杂氧化锌纳米棒的非线性光学响应竞争特性

戴军 陈景东 何影记 陈泳竹

[摘要]利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒, 研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中, 二次谐波峰非常弱, 几乎可以忽略, 存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):855

 InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控

侯彩霞 郑新和 彭铭曾 杨静 赵德刚

[摘要]InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(05):709

 稀土掺杂磷酸钇荧光粉的控制合成和发光性能

刘旭焱 丁 楠 屈重年 朱永胜 卢志文 叶 铁

[摘要]利用水热法分别合成了Ce3+、Tb3+共掺杂的YPO4下转换荧光粉和Er3+、Yb3+、Tm3+共掺杂的YPO4上转换荧光粉, 经过工艺优化获得了1 μm左右尺寸均匀的发光材料。通过系列实验研究了反应温度、反应时间、稀土离子掺杂比例和...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(05):587

 局域表面等离激元对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响

许恒 闫龙 李玲 张源涛 张宝林

[摘要]Ag 纳米粒子的形貌对InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响。本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/GaN MQWs上, 然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子。通过改变Ag的沉积时间获得了具有不...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(03):324

 光浴对CH3NH3PbI3薄膜光致发光量子效率的影响

刘 旭 白晶晶 张荣香 赵晋津 党 伟 张连水

[摘要]研究了CH3NH3PbI3薄膜在光浴条件下的光致发光量子效率演化行为。在光浴过程中, CH3NH3PbI3薄膜的光致发光量子效率表现为先增大再减小的变化趋势。发光动力学测量实验表明, 在光浴过程中, CH3NH3PbI3薄膜的载流子复合...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(12):1629

 高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

单 睿 周海春 郝瑞亭 欧全宏 郭 杰

[摘要]采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上外延生长高In组分(>40%)InGaNAs/GaAs量子阱材料, 工作波长覆盖1.3~1.55 μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和InGaNAs/GaAs量子阱的生长特性...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(11):1510

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