中国激光医学杂志, 2008, 17 (2): 94, 网络出版: 2008-08-17
830nm半导体激光照射后兔脑的组织病理学变化
Histopathologic Changes in Rabbit Brains after Thermotherapy with 830 nm Diode Laser
摘要
目的 观察830 nln半导体激光照射兔脑的病理学变化.方法 以输出功率为5、10和15 w及作用时间为5、10、15、20、25、30、35和40 s不同组合的半导体激光照射兔脑组织.24 h后空气栓塞处死实验兔,取完整兔脑制备HE染色切片,光镜下观察兔脑毁损灶的组织病理学变化,测量毁损范围.结果 兔脑组织毁损灶呈典型的带状改变,自中心向周边分:炭化区、凝固区、水肿区.不同功率与照射时间半导体激光作用后兔脑热毁损灶病理变化相似,毁损灶范围随激光功率与作用时间的增加而逐渐加大.毁损灶外兔脑未发现相似变化.根据实验观察结果建立了兔脑组织毁损范围与半导体激光输出功率和作用时间的对应关系的数学模型.结论 830 nm半导体激光具有凝固,切割,气化,止血作用,对周围组织无显著影响.
Abstract
胡韶山, 谷树清, 张晓明, 程洪斌. 830nm半导体激光照射后兔脑的组织病理学变化[J]. 中国激光医学杂志, 2008, 17(2): 94. 胡韶山, 谷树清, 张晓明, 程洪斌. Histopathologic Changes in Rabbit Brains after Thermotherapy with 830 nm Diode Laser[J]. Chinese Journal of Laser Medicine & Surgery, 2008, 17(2): 94.