发光学报, 2016, 37 (12): 1532, 网络出版: 2016-12-06  

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
作者单位
1 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜师范大学 物理工程学院, 山东 曲阜273165
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海200050
摘要
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1, E1的能级位置为Ec-0.38 eV, 俘获截面为1.87×10-15 cm2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1, H1的能级位置为Ev+0.31 eV, 俘获截面为2.87×10-17 cm2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn, 深中心H1可能来源于形成的Bi 原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
Abstract
The properties of deep center in InP1-xBix grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE) were firstly investigated using deep level transient spectroscopy (DLTS). For the sample of InP, E1 peak is observed under majority-carriers filling pulse conditions. It locates at Ec-0.38 eV with capture cross section of 1.87×10-15 cm2. For the sample of InP0.9751Bi0.0249, H1 peak is observed under minority-carriers filling pulse conditions. It locates at Ev +0.31 eV with capture cross section of 2.87×10-17 cm2. The deep level E1 is considered to originate from the intrinsic antisite of PIn. The deep level H1 is attributed to the formation of Bi pairs or complex Bi related clusters. It is very meaningful to make clear the causes of the two defects in the InP(Bi) materials for device application.

王海龙, 韦志禄, 李耀耀, 王凯, 潘文武, 吴晓燕, 岳丽, 李士玲, 龚谦, 王庶民. 气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1532. WANG Hai-long, WEI Zhi-lu, LI Yao-yao, WANG Kai, PAN Wen-wu, WU Xiao-yan, YUE Li, LI Shi-ling, GONG Qian, WANG Shu-min. Deep Centers in InPBi Thin Film Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1532.

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