发光学报, 2016, 37 (12): 1545, 网络出版: 2016-12-06   

基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展

Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure
作者单位
北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京100124
摘要
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率, 这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器, 对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结; 而后, 着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度, 阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展, 其中, 从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器; 最后, 探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
Abstract
The sensor elements based on GaN high electron mobility transistor (HEMT) have considerable advantages on sensitivity, response speed, detection surface, and harsh environment adaptability because of the features of HEMT, such as high 2DEG density at the hetero-interface, wide band gap, high breakdown voltage, stable chemical properties, and high electron mobility. In this paper, the structures, mechanism, progress of work, advantages and disadvantages about the two mature types of sensors developed from GaN-based HEMT basic structure are discussed and summarized firstly. Then, the latest progress on three kinds of nevel GaN-based HEMT sensors is reviewed in detail focusing on the device material and the optimization of gate structure and material. Among them, GaN-based HEMT photodetector is highlighted in the aspects of the material system, key process, detector structure, principle and new mechanisms. Finally, the future direction for the development of GaN-based HEMT sensor elements is explored.

朱彦旭, 王岳华, 宋会会, 李赉龙, 石栋. 基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1545. ZHU Yan-xu, WANG Yue-hua, SONG Hui-hui, LI Lai-long, SHI Dong. Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1545.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!