太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (2): 239, 网络出版: 2017-06-06   

一种基于 GaAs FET的 S波段功率放大和整流双向电路

An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET
作者单位
四川大学电子信息学院,四川成都 610064
摘要
设计了一种基于砷化镓场效应管 (GaAs FETs)的S波段微波功率放大和整流双向电路,分析了微波功率放大电路与整流电路之间的类似性。利用 ADS对其进行仿真,并进行实验验证。该电路具有微波功率放大功能,增益和功率附加效率分别为 11.9 dB和55%,输出功率达 28.9 dBm。该电路同时具有将微波转换为直流的功能。当电路偏置在 C类状态下,微波输入功率为 30 dBm,且直流负载为55 .时,获得了 75.6%的整流效率。电路正向放大反向整流的特性可望应用到双向微波无线能量传输系统中。
Abstract
An S-band GaAs Field Effect Tube(FET) microwave bi-directional circuit is designed as a power amplifier and a rectifier. The similarity between a power amplifier and a rectifier is discussed. The circuit is simulated by ADS and measured. In the amplifying mode, the circuit receives a high DC-MWPAE(Power Added Efficiency) as 55% with an output power of 28.9 dBm and a gain of 11.9 dB. The circuit is able to work in rectifying mode as well. It is biased in the class-C mode and shows an efficiency of 75.6% as the microwave input power is 30 dBm with a DC load of 55 .. The characteristics that the circuit can be an amplifier forward and a rectifier reverse would be applied to the bi-directional system of microwave wireless power transmissions.

王洪彬, 刘长军. 一种基于 GaAs FET的 S波段功率放大和整流双向电路[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 239. WANG Hongbin, LIU Changjun. An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(2): 239.

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