红外与毫米波学报, 2018, 37 (6): 653, 网络出版: 2018-12-26   

利用高阶DBR实现简单的2.0 μm GaSb激光器

A simple approach to obtain 2.0 μm GaSb laser by using high-order distributed Bragg reflector
作者单位
1 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
摘要
利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器, 避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17.5 dB 的单模激光输出.CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化, 器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内, 器件都保持单横模工作状态.24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22.5 dB.器件的激射波长都在2.0 μm左右.
Abstract
GaSb-based DBR lasers with high-order Bragg gratings are fabricated without complex process. The 16th-order and 24th-order Bragg gratings are fabricated with double-trench ridge waveguide by using standard contact optical lithography respectively. The 16th-order Bragg grating laser achieves single longitudinal mode continuous-wave (CW) operation at room temperature with side mode suppression ratio (SMSR) as high as 17.5 dB. The maximum single mode continuous-wave output power is more than 10 mW at room temperature. The laser shows a very excellent wavelength stability against injection current. The single spatial mode operation is maintained in the entire injection current range. The 24th-order Bragg grating laser even shows a side mode suppression ratio up to 22.5 dB at room temperature. The emission wavelength is around 2.0 μm.

黄书山, 杨成奥, 张宇, 谢圣文, 廖永平, 柴小力, 徐应强, 牛智川. 利用高阶DBR实现简单的2.0 μm GaSb激光器[J]. 红外与毫米波学报, 2018, 37(6): 653. HUANG Shu-Shan, YANG Cheng-Ao, ZHANG Yu, XIE Sheng-wen, LIAO Yong-Ping, CHAI Xiao-Li, XU Ying-Qiang, NIU Zhi-Chuan. A simple approach to obtain 2.0 μm GaSb laser by using high-order distributed Bragg reflector[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018, 37(6): 653.

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