太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17 (2): 248, 网络出版: 2019-06-10  

C波段紧凑型 25 W GaN宽带功率放大器

C band compact 25 W GaN power amplifier
作者单位
中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北石家庄 050051
摘要
基于 0.25 μm GaN工艺和以 SiC为衬底的高电子迁移率晶体管 (HEMT)技术, 采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比 1:3.6:16等措施, 保证电路的增益和功率指标, 实现了 C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路 (MMIC)放大器。芯片测试结果表明, 在 4~8 GHz频率范围内, 漏极电压 28 V, 连续波条件下, 放大器的小信号增益大于 30 dB, 大信号增益大于 23 dB, 饱和输出功率大于 44 dBm, 功率附加效率为 38%~45%。该单片放大器芯片尺寸为 3.6 mm×4.0 mm。
Abstract
Based on the 0.25 μm GaN technology and High Electron Mobility Transistor(HEMT) on SiC substrate, a high power, high gain and high efficiency C-band broadband Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC) amplifier is developed. The gain and the output power index of the circuit are guaranteed by means of reactance matching, optimizing the static DC working point of the circuit, and selecting the gate width ratio of the three-stage amplifier 1:3.6:16. The test results show that the chip in 4–8 GHz frequency range, the drain voltage 28 V, under continuous wave condition, the small signal gain of the MMIC is greater than 30 dB, the large signal gain is greater than 23 dB, the saturation output power is greater than 44 dBm, the power added efficiency is 38% to 45%. The size of the MMIC is 3.6 mm×4 mm.

刘帅, 蔡道民, 武继斌. C波段紧凑型 25 W GaN宽带功率放大器[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(2): 248. LIU Shuai, CAI Daomin, WU Jibin. C band compact 25 W GaN power amplifier[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2019, 17(2): 248.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!