太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17 (2): 343, 网络出版: 2019-06-10  

10 kV高重频开关组件设计

Design of high repeat frequency switch module with 10 kV
作者单位
中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波重点实验室, 四川绵阳 621999
摘要
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSFET)的高压开关组件。通过串联20只1 kV的RF MOSFET单元电路, 获得耐压 10 kV以上的高速、高重复频率的开关组件。开展了高压开关组件的结构设计和 1 kV的RF MOSFET单元电路设计及散热设计。利用开关组件进行了10 kV脉冲源实验装置设计, 测试结果发现脉冲前沿较仿真结果变缓。
Abstract
A design of high voltage switch module based on a stack of Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET) is put forward. By stacking 20 RF MOSFETs with Uds of 1 kV, the switch module shows high speed and high repeat frequency, and can operate above 10 kV. The structure of high voltage switch module, a unit circuit using one RF MOSFET switch and a method of cooling the switch are designed. A pulse generator circuit based on the high voltage switch module is simulated. A 10 kV pulse generator is created by the stack. The turn-on time of pulse generated by experimental device is lower than simulated result.

石小燕, 任先文, 丁恩燕, 杨周炳, 梁勤金. 10 kV高重频开关组件设计[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(2): 343. SHI Xiaoyan, REN Xianwen, DING Enyan, YANG Zhoubing, LIANG Qinjin. Design of high repeat frequency switch module with 10 kV[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2019, 17(2): 343.

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