应用激光, 2019, 39 (5): 892, 网络出版: 2019-12-05   

1 210 nm大功率半导体激光治疗机的设计

Design of 1 210nm High-Power Semiconductor Laser Therapeutic Equipment
作者单位
上海市激光技术研究所 上海 200233
摘要
设计了一种大功率半导体激光治疗机的光路、电源系统及保护电路和恒温控制单元。设备采用输出波长为1 210 nm的光纤耦合输出的大功率半导体激光器作为激光治疗仪的有效光源, 使用635 nm半导体激光器作为瞄准光束, 最大输出功率为10 W。该激光治疗机通过液晶触摸屏可对激光的工作模式、输出功率、脉冲宽度和脉冲周期等参数进行智能化设置, 具有很好的人机交互性能。在皮肤美容整形科方面有很好的应用前景。
Abstract
This paper introduces the design of optics, constant current source system and protective circuit and constant temperature control unit of a high-power semiconductor laser therapeutic equipment. It uses a fiber coupled 980 nm with maximum power output of 10 W as effective light source, 635 nm semiconductor laser as aiming beam. The functions such as operation mode, output power, pulse width and pulse cycle could be easily set through the LCD touch screen. It has a very good prospect of application in cosmetic dermatology.

毕进子, 王彩霞, 蔡宜洛, 赵梓汝. 1 210 nm大功率半导体激光治疗机的设计[J]. 应用激光, 2019, 39(5): 892. Bi Jinzi, Wang Caixia, Cai Yiluo, Zhao Ziru. Design of 1 210nm High-Power Semiconductor Laser Therapeutic Equipment[J]. APPLIED LASER, 2019, 39(5): 892.

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