会议名称(中文): 第十八届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议名称(英文):
所属学科: 电子工程,光电子学,半导体技术,材料科学基础学科
开始日期: 2017-11-16
结束日期: 2017-11-20
所在国家: 中华人民共和国
所在城市: 福建省 厦门市
主办单位: 中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会 协办单位:
承办单位: 中国科学院半导体研究所、中国电科55所、中国科学院微电子研究所、中国电科13所专用集成电路国家级重点实验室、厦门大学 摘要
截稿日期: 2017-04-28
联系人: 姜丽娟,王琨,王晓亮
联系电话: 010-82304140 、13810828717
E-MAIL: ljjiang@semi.ac.cn 、 kwang@semi.ac.cn
会议网站: http://cs-cie2017.csp.escience.cn/dct/page/1

会议背景介绍:
半导体研究所等单位承办的“第十八届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于2017年11月中旬在福建省厦门市召开。这是每两年举行一次的全国性重大学术会议,将展示化合物半导体,特别是近年来迅猛发展的宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面的最新进展,探讨国内外化合物半导体、微波器件和光电器件的研究现状和发展趋势。召开这次会议的目的是为全国在本领域或有意在本领域从事研发、教学、生产、投资的科技人员和管理人员提供一个学术与技术交流的平台,以促进我国本领域的科技创新和产业发展。我们热忱欢迎本领域广大专家学者和科技人员以及相关设备、仪器制造领域的研发人员和相关企业界人士踊跃投稿、参会、参展。

征文范围及要求:
征文内容:
1、 GaAs、InP等化合物半导体材料、微波器件及光电器件; 2、 宽禁带化合物半导体(GaN、SiC、ZnO和金刚石等)材料的制备、性质及器件应用; 3、 硅基异质结构材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制备、器件及其光电集成技术; 4、 纳米(低维)半导体材料、性质及量子器件; 5、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用; 6、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造与测试; 7、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造与测试; 8、 化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术,如耦合、封装等; 9、 化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性与失效分析; 10、化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用; 11、新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用; 12、化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究; 13、化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器的研制; 14、化合物半导体材料制备和器件研制相关的基础材料(如金属有机源、高纯金属源、高纯工艺气体等); 15、化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术; 16、半导体白光照明材料、器件及应用技术; 17、其它(如稀土、有机半导体等)半导体材料、性质及器件应用; 18、化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用; 19、化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用; 20、半导体光电转换材料与器件应用。 21、集成电路设计; 22、电介质物理与器件; 23、其它化合物半导体相关领域新进展等。


来源:中国学术会议在线