高功率极低发散角圆形光束半导体边发射激光器
2015-12-30

  半导体激光器自1962年诞生以来已经获得了广泛的应用,但其依然存在一个饱受诟病的缺点,即大的发散角和椭圆出光。通常垂直方向半角发散角大于30°,水平方向10°左右,这导致较低的光束质量和较差的可聚焦性。虽然通过光学方法可改善并实现大功率直接半导体激光光源,但光源最终光束质量仍将受限于单元器件光束质量。

  最近,中国科学院长春光学精密机械研究所发光学及应用国家重点实验室研究团队提出一种新型的半导体激光器结构,其采用双边的布拉格反射波导,通过光子带隙原理实现光场的控制,最终实现发散角小于5°的圆形光束半导体激光器。该激光器95%能量对应垂直发散角仅9.8°(国际报道最好为15.6°),并且在不同电流驱动下均保持圆形光束出光,器件最高连续输出功率达到4.6W,直接的光纤耦合实验证明90%以上的耦合效率。相关结果发表在IEEE Journal of Selected Topics In Quantum Electronics【21(6),1501609,2015】上。

  该方法是从半导体激光器结构入手,从源头出发改善半导体激光器发散角等问题,可望替代目前商业化的半导体激光器,有着重要的应用前景。

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