%0 Journal Article %T InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究 %O Semiconductor Optoelectronics %A 陈燕文 %A 文静 %A 文玉梅 %A 李平 %A 王三山 %J 半导体光电 %@ 1001-5868 %V 36 %N 1 %D 2015 %P 42-47 %K 发光二极管;陷阱辅助隧穿电流;电特性;理想因子 %X 针对InGaN/GaN多量子阱LED, 分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制, 从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系, 以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实, 在低注入强度下, 由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导, 电流电压特性符合相应的推导结果, 随着注入强度的增大, 参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加, 温度对输运机制的影响逐渐增大。 %R %U http://www.opticsjournal.net/Articles/Abstract?aid=OJ150625000016eKgNjQ %W 中国光学期刊网 %1 JIS Version 3.0.0