%0 Journal Article %T AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径 %O Laser & Optoelectronics Progress %A 田康凯 %A 楚春双 %A 毕文刚 %A 张勇辉 %A 张紫辉 %J 激光与光电子学进展 %@ 1006-4125 %V 56 %N 6 %D 2019 %P 060001-1 %K 光学器件;AlGaN;深紫外发光二极管;外量子效率;空穴注入效率;光输出功率 %X 目前,发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏振光,这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率 (LEE);另一方面,受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平,DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差,增加了有源区内非辐射复合率,造成DUV LEDs器件内量子效率 (IQE) 的衰减。除此之外,载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE,尤其是空穴注入效率。为此,研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率,从而改善DUV LEDs器件的EQE。着重总结探讨了近年来提高DUV LEDs器件空穴注入效率的诸多措施,深刻揭示了其中的物理机理,对改善DUV LEDs的器件性能具有重要的意义。 %R 10.3788/LOP56.060001 %U http://www.opticsjournal.net/Articles/Abstract?aid=OJ190314000025MiPlRU %W 中国光学期刊网 %1 JIS Version 3.0.0