德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors）宣布，开发出了波长515nm、光输出功率50mW的InGaN激光器。目前,可直接振荡红色和蓝色的半导体激光已经实现，但绿色则需由光学元件转换红外激光的波长而成。原因是没有能够以高输出功率直接振荡绿色光的半导体激光器。

　  此次开发的激光器作为初步特性，在室温脉冲模式下，实现了光输出功率50mW、阈值电流密度约为9kA/cm2。欧司朗光电就此次的成果表示，“已开始着手制造高成本效率的小型高品质绿色InGaN激光光源”。

　  应用领域方面，设想用于医疗、产业及便携式投影仪等用途。作为绿色半导体激光器，住友电工曾发布过采用GaN结晶、波长为531nm的激光器（室温、脉冲）

来源：技术在线