增强对入射光的吸收是提高光电探测器性能的重要途径。传统的薄膜型半导体探测器存在较强的表面反射，降低了对入射光的吸收，进而影响了光电探测器的灵敏度。一维纳米材料由于大的比表面积和良好的载流子传输通道，具有远大于体材料的光电导增益，是构建纳米光电探测器的基本单元。如何提高一维纳米材料光电探测器对入射光的吸收效率，对纳米材料光电探测器的研究具有重要意义。

      武汉光电国家实验室高义华教授领导的研究小组，研究了金属Ag纳米颗粒附着ZnO纳米线阵列的光吸收特性，实现了一种具有光吸收增强效应的Ag纳米颗粒-ZnO纳米线阵列紫外光电探测器。首先通过化学气相沉积法在GaN衬底上得到具有良好垂直度的ZnO纳米线阵列，再用蒸镀法在ZnO纳米线阵列表面沉积Ag纳米颗粒进行表面修饰，最后实现器件组装和测试。研究表明，得益于金属纳米颗粒的局域等离子效应，经过Ag纳米颗粒修饰后的ZnO纳米线阵列表现出明显的光吸收增强特性，对365 nm紫外光的光电响应也显著增强（开关比从13.2上升到89.7）。这种光吸收增强金属/半导体纳米线阵列的光电探测器的研究，对设计开发新型高性能的纳米半导体材料光电探测器提供了新思路。

      该工作得到了国家自然科学基金（No. 11374110）和华中科技大学自主创新基金（No. 2014TS124, 2013TS033）等项目的支持。该研究成果刊发在Optics Express (Vol. 22, Issue 24, 30148-30155, 2014) 上，文章链接: http://dx.doi.org/10.1364/OE.22.030148
 

    来自: 武汉光电实验室