立陶宛激光二极管制造商进入用于医疗和工业传感器的光子集成技术领域

Brolis半导体公司拓展比利时根特发展中心

位于立陶宛的中频红外激光二极管开发商Brolis半导体公司在比利时根特设立了一个新的研究部门，专攻传感器应用的光子集成技术。

维尔纽斯总部公司表示，比利时本质上将专注于新型前沿集成光子系统的设计和开发，并将Brolis公司的锑化镓（GaSb）激光器与CMOS兼容的集成光路（PIC）技术相结合。

该技术的主要应用包括医疗和工业传感器，Brolis公司的联合创始人奥古斯丁•维兹巴拉斯（Augustinas Vizbaras）说，第一批技术原型可能在三年内完成。

激光芯片和集成光路

在2011年，Vizbaras与他的兄弟Dominykas和Kristijonas设立了Brolis公司，他告诉optics.org，根特子公司最终将雇佣大约十几名工程师。这项新的研究和开发区域总占地面积约260平方米，其中包括80平方米测试和计量实验室。

将在新公司领导集成光路设计工作的Andreas De Groote在立陶宛公司的一份公告中说：“多年来，Brolis公司已经设法将锑化镓（GaSb）激光二极管技术带到了工业级别，并从性能和规模上均超越了国家最先进的设备。

“接下来的一大步是将这些锑化镓（GaSb）芯片作为基于CMOS兼容绝缘硅片工艺集成光路技术的关键部分。此外，我们应该把它带到工业层面，并适用于消费者市场。”

该团队特别强调开发一种新的锑化镓（GaSb） /绝缘硅芯片系统激光传感器技术，它可以在1.5-3.5微米的频谱范围内使用，并在以后可以用于医疗保健和工业市场。

Augustinas Vizbaras补充说：“Brolis公司很高兴在现有的技术投资中加入光子集成回路技术——我们相信它会为现有的III-V族半导体技术发展提供一个新的局面。

“将硅技术添加到GaSb中将有望为具有全新功能的集成混合芯片技术创造条件，例如用于工业和医疗保健的OEM远程激光传感器，其面积为几平方毫米，可以用在任何手持式、可穿戴设备平台，发挥今天还不可用的功能。

Brolis公司：来自立陶宛的锑化镓（GaSb）激光专家

奇妙的机会

Vizbaras特别高兴将发展中心建于根特，因为这是硅光子技术研究的关键枢纽，与在半导体研究和开发方面有影响的微电子研究中心联系密切。“我们觉得我们公司很好，”他说。

微电子研究中心附属根特大学光电研究组的 Gunther Roelkens 补充说：“虽然硅光子学主要被研究用于光收发器，但在探测领域也有很多应用的机会。我们相信，GaSb III-V族光电子和硅光子学的整合可以使其在该领域有更多应用。”

虽然通过根特大学与微电子研究中心联系，但Vizbaras指出，Brolis公司并不仅仅约束于任何特定的硅片铸造厂商，该公司希望探索多种选择，以达到其发展目标。

他将Brolis公司的与欧盟资助的“ MIRPHAB ”（中红外光子器件制造）的做法进行了对比，他说：“我们的发展是业务驱动而不是项目驱动的，我们正将自己公司的资金投入到新的研究和开发活动中。”

得力于在维尔纽斯总部的多晶芯片工业分子束外延（MBE）设备，Brolis公司已经能够在内部制造激光二极管外延芯片。“添加硅光子测试和设计部门，并使用商业硅光子平台的200毫米或300毫米大型硅芯片将允许我们开发自己的专有混合OEM传感器技术平台。”Vizbaras说。

高增益、高产量

公司的GaSb激光器是相对不寻常的设备，它可以与频谱相似的量子级联激光器（QCL）进行竞争。但是，Vizbaras表示，GaSb激光器在1.8-2.6微米的波长范围内使用性能更佳——与典型的量子级联激光器QCL相比，它能够允许更低的输入功率，获得更高的效率和增益。

“我们的技术在大容量应用的可制造性方面具有更多的可扩展性，”他说。“多年来，我们已经设法使GaSb技术达到与GaAs技术类似的水平。”

基于I型量子阱技术，GaSb激光发射器也可以高产量生产，并在片上测试，同时这种材料还为光电二极管提供了一个兼容的平台。Vizbaras补充说：“我不知道QCL技术是否也可以这样做。”

“目前随着设备的持续到位，我们估计开发一个可扩展的平台大约需要三年时间，届时它能够提供价格低廉的芯片，”他补充道。“目前主要的重点将是集成技术，因为它不仅是GaSb的瓶颈，而且也是任何III-V族 /绝缘硅平台的阻碍。”

如果以Vizbaras预期的方式解决了这一问题，那么第一个工业原型不久之后就可以见到。“在应用方面，我们将重点放在医疗保健和医疗传感方面，”他总结说。

来源：http://optics.org/news/8/10/16

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